公开(公告)号：CN119080079A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411070344.X

申请日：2024-08-06

Applicant: 东北林业大学

Inventor： 赵芸鹤 ,  杨俊圆 ,  李思琦 ,  刘松 ,  吴小亮 ,  韩淳 ,  袁园

IPC: C01G53/00 ,  C23C26/00

Abstract: 本发明提出一种离子层外延法合成高熵合金氧化物的制备方法，包括：步骤1：配置表面活性剂；步骤2：配置金属盐前驱体溶液；步骤3：配置尿素溶液；步骤4：配置反应前驱体溶液；步骤5：获取高熵合金氧化物；步骤6：用镊子夹取带有氧化层的硅片，在液面略微倾斜浸入，垂直向后提拉，在硅片上得到高熵合金氧化物。本发明在低温条件下就能合成二维高熵氧化物，无需使用常规1200℃及以上超高温度以及快速降温处理，这可以大大减少以往高熵氧化物合成所需的能源损耗以及实验过程中的危险性，本发明实验过程中通过使用常见的设备和简化的操作步骤，无需高温反应器，激光，特殊降温装置等，所用观察衬底可以多次利用，使得合成过程更易于推广和应用。