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公开(公告)号：CN101850981A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010207248.7
申请日：2010-06-23
Applicant: 东北林业大学
Abstract: 一种激光烧蚀制备氧化硅纳米泡沫的方法，它涉及氧化硅纳米泡沫的制备方法。本发明解决了现有硅基纳米结构材料制备方法中存在工艺复杂、工序耗时多、易引入杂质、对环境有污染的问题。本发明的方法为：一、清洗单晶硅片后，固定在二维平台上；二、设定二维平移台的步进速度和位移，然后将聚焦光束作用在随二维平移台运动的单晶硅片上；即可。本发明的方法简单，工艺简易，制备过程用时短，制备过程可控，无杂质引入，对环境友好，更重要的是可以实现纳米泡沫层的大面积制备。本发明制备的纳米氧化硅泡沫在单晶硅片表面分布均匀，颗粒尺寸为8~12nm。
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