公开(公告)号：CN119421527A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411308541.0

申请日：2024-09-19

Applicant: 东北师范大学 ,  吉林农业大学

Inventor： 李鹏 ,  马剑钢 ,  徐海阳 ,  刘益春 ,  闫斯怡

IPC: H10F71/00 ,  H10F30/222 ,  H10F77/12 ,  G06N3/0442 ,  G06V40/13 ,  G06V10/82

Abstract: 本发明涉及光电材料与器件物理领域，公开了一种Ga2O3:Sn/HfOx异质结光电传感器的制备方法，其方法包括以下步骤：S1：衬底清洗，S2：Ga2O3:Sn薄膜制备，S3：生长电极，S4：HfOx薄膜制备，一种Ga2O3:Sn/HfOx异质结光电传感器的神经突触仿生应用，包括Ga2O3:Sn/HfOx突触可塑性研究与Ga2O3:Sn/HfOx光电传感器感存算一体应用研究。本发明采用掺杂量精确可控的溶胶凝胶法制备Ga2O3:Sn薄膜，通过控制加入锡片的质量实现浓度可控的施主掺杂，使光电传感器光电流和响应度增大，磁控溅射法制备HfOx薄膜，构建双层结构光电传感器，提高了器件的探测率和响应度，再应用紫外线信号模拟了多种突触功能，包括EPSC、PPF和经验式学习行为。进一步，实现了高线性度的光增强电抑制行为，为实现高精度图像识别功能提供了基础。