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公开(公告)号：CN119900069A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510081958.6
申请日：2025-01-20
Applicant: 东北大学秦皇岛分校
Abstract: 本发明涉及纳米晶体材料技术领域，具体涉及一种基于反向外延生长法用于纯相001晶向Ni3S2纳米晶的制备方法，S1.1、先对金属衬底预处理，以充分去除表面汗渍、油污、氧化皮、残留酸液的杂质；S1.2、在气氛下，将诱变晶种置于水热釜中，加入45‑50mL液相递质，再将预处理后的金属衬底用聚四氟乙烯线悬挂于液层下，封存好后在155‑160℃加热10‑12h，待冷却后取出金属衬底，用乙醇和去离子水轮流清洗三次，得到Ni3S2纳米晶；采用反向外延生长法，利用薄膜的反应性，有选择性地诱变衬底结构，实现了对Ni3S2晶体生长方向的有效控制，得到纯相且具备特定晶面的Ni3S2晶体，同时诱变晶种参与反应后以金属粉形式自行脱落，免除了产物分离的工序，简化了工艺流程。
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