温度自参考的光子晶体光纤表面等离子体共振磁场传感器

    公开(公告)号:CN113466760A

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN202110526934.9

    申请日:2021-05-14

    Inventor: 吕江涛 莫欣伟

    Abstract: 本发明的温度自参考的光子晶体光纤表面等离子体共振磁场传感器,包括:D型光子晶体光纤本体和磁流体层,D型光子晶体光纤本体的顶部抛光形成抛光平面,抛光平面上镀金膜层,磁流体层涂覆在金膜层上;D型光子晶体光纤本体包括二氧化硅包层和21个位于二氧化硅包层中的空气孔;从D型光子晶体光纤本体的底部向上设置4层空气孔;各层内的空气孔的圆心都位于同一直线上;所述第三层第三个空气孔的内壁镀有金膜,内部填充聚二甲基硅氧烷。本发明采用了D型光子晶体光纤结合SPR技术测量磁场,避免了磁场传感器体积大,灵敏度低等问题;采用在D型光子晶体光纤中镀金膜并填充磁流体和PDMS的方式,实现了传感器对磁场和温度的同时测量。

    基于聚焦离子束刻蚀光波导的方法

    公开(公告)号:CN103064147B

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:CN201310038365.9

    申请日:2013-01-31

    CPC classification number: G02B6/136

    Abstract: 本发明提供一种基于聚焦离子束刻蚀光波导的方法,该方法包括:S1、设计一种纳米圆环阵列结构,所述纳米圆环阵列结构中纳米圆环互相紧贴,光波导的刻蚀宽度值为两倍的圆环宽度;S2、将所述纳米圆环阵列结构保存到聚焦离子束刻蚀系统中;S3、从聚焦离子束系统中调用所述纳米圆环阵列结构,聚焦离子束轰击样品表面进行刻蚀,完成制备。通过本发明制造的光波导结构具有超高占空比,几乎垂直的侧壁。

    一种基于SPR的纳米半球体结构阵列的荧光增强装置

    公开(公告)号:CN113588615A

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202110862549.1

    申请日:2021-07-29

    Abstract: 本发明的一种基于SPR的纳米半球体结构阵列的荧光增强装置,包括自下而上依次设置的玻璃衬底、金属膜、半球体阵列结构、透光介质层和荧光层;半球体阵列结构由多个金属纳米半球体阵列设置构成,金属纳米半球体的阵列周期为60‑600纳米,金属纳米半球体的半径为30‑200纳米。该装置利用金属的表面等离子体共振,增强荧光物质的自发辐射率和荧光强度,通过调节金属纳米半球体的大小和阵列周期调制荧光的增强程度,解决了现有荧光物质的荧光信号弱的问题。

    基于聚焦离子束刻蚀光波导的方法

    公开(公告)号:CN103064147A

    公开(公告)日:2013-04-24

    申请号:CN201310038365.9

    申请日:2013-01-31

    CPC classification number: G02B6/136

    Abstract: 本发明提供一种基于聚焦离子束刻蚀光波导的方法,该方法包括:S1、设计一种纳米圆环阵列结构,所述纳米圆环阵列结构中纳米圆环互相紧贴,光波导的刻蚀宽度值为两倍的圆环宽度;S2、将所述纳米圆环阵列结构保存到聚焦离子束刻蚀系统中;S3、从聚焦离子束系统中调用所述纳米圆环阵列结构,聚焦离子束轰击样品表面进行刻蚀,完成制备。通过本发明制造的光波导结构具有超高占空比,几乎垂直的侧壁。

    表面等离子体纳米环滤光器

    公开(公告)号:CN102981199A

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201210452594.0

    申请日:2012-11-13

    CPC classification number: B82Y20/00 G02B5/008

    Abstract: 本发明涉及一种表面等离子体纳米环滤光器,设有基层材料,在基层材料上粘贴有贵金属膜,所述贵金属膜上设有用聚焦离子束刻蚀方法加工的圆环矩阵,所述圆环矩阵中的每个圆环的内径和外径可根据不同的单色光预先设定,所述基层材料采用石英、玻璃中的一种,进一步的所述贵金属膜采用金属金、银、铂中的一种制成。该表面等离子体纳米环滤光器运用高度对称的圆环结构解决了天线凹槽和一维层堆光栅型滤光器部普遍存在的偏振敏感性问题,使得类似滤光器件的应用范围更广,更能适应非偏振的自然光。

    一种基于自监督高光谱图像分类的土壤微塑料检测方法

    公开(公告)号:CN119131478A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202411179605.1

    申请日:2024-08-27

    Inventor: 吕江涛 张连池

    Abstract: 本发明是一种基于自监督对比学习高光谱图像分类的土壤微塑料检测方法,它解决了传统土壤微塑料检测效率低下及土壤微塑料样本标记标签费时费力的问题。本发明将自监督对比学习技术与高光谱图像相结合引入土壤微塑料检测中,可以在不破坏原有样本的情况下提高土壤微塑料的检测速度;同时,将多个特征提取模块结合设计出HDTNet网络模型作为自监督对比学习的特征提取器,以更好的提取土壤微塑料的特征表示;最后在自监督对比学习的数据增强部分引入对光谱信息的增强,可以更好的利用高光谱图像的光谱信息。与现有的几种土壤微塑料检测技术相比,本发明具有更好的性能,实现了对土壤环境中微塑料颗粒的准确识别。

    表面等离子激元定向高效耦合相位可调超表面形成方法

    公开(公告)号:CN111290058A

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN202010126271.7

    申请日:2020-02-27

    Abstract: 本发明公开一种表面等离子激元定向高效耦合相位可调超表面形成方法,步骤为:在一种已有SPPs相位调节超表面原始结构的左侧刻蚀单个反射光栅,将左侧由原始结构激发的SPPs反射至右侧,其中反射光栅的刻蚀方式为不完全刻蚀,光源设置在整个超表面下方,即背部照明方式;调节反射光栅中心到已有结构中心的距离,使得反射至右侧的SPPs与原有激发的SPPs发生相长干涉,提高激发效率;将单个反射光栅扩展至多个即形成反射光栅阵列,获得更高的激发效率的同时实现定向耦合以及相位调控。本发明避免了对原有结构激发的SPPs的干扰,实现SPPs的定向传播和耦合增强,进一步提高SPPs的激发效率且不影响超表面原有的相位调节能力。

    悬空式铌酸锂光波导
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103091774A

    公开(公告)日:2013-05-08

    申请号:CN201210452593.6

    申请日:2012-11-13

    Abstract: 本发明涉及一种悬空式铌酸锂光波导,选取铌酸锂样品作为基材按以下面步骤操作,首先,使用能量为1兆电子伏(MeV)的氦离子(He+)束轰击铌酸锂样品,在样品表面下方一定区域内形成晶格损伤,形成晶格损伤的部分具有小于没有损伤的部分的折射率,将光束限制在波导区域中传播。第二步使用聚焦离子束刻蚀的方法在样品表面刻蚀出圆形或矩形的孔洞,混合的酸溶液可以通过这些孔洞接触到具有晶格损伤的部分并进一步把这些部分腐蚀掉,从而形成空气隔层,悬空的波导结构便在铌酸锂样品的表面形成了。本发明铌酸锂光波导对在其中传播的光信号有非常好的限制作用,具有极低的传输损耗,可以被广泛应用于电子、光学、和调制类器件。

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