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公开(公告)号：CN108588668B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201810399652.5
申请日：2018-04-28
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明涉及一种用于制造柔性基底多层薄膜的卷绕镀膜系统。多个镀膜室与多个镀膜辊一一对应地设置，每个镀膜室包括一个或多个溅射单元，每个溅射单元包括升降装置、连接于升降装置的磁控溅射靶以及两个靶挡板，两个靶挡板位于磁控溅射靶和镀膜辊之间且间隔以形成延伸在磁控溅射靶和镀膜辊之间的溅射区间，磁控溅射靶和升降装置与电控装置连接。每个溅射区间设有抽气阀和布气阀，二者均与电控装置连接。该卷绕镀膜系统可独立控制每个溅射区间是否使用以及在使用时的工艺参数，能够随意控制镀膜的层数、靶材的种类，在柔性基底上一次性镀制多层工艺参数不同的膜层，提升镀膜效率。
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公开(公告)号：CN108550644B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201810573107.3
申请日：2018-06-06
Applicant: 东北大学
IPC: H01L31/048 , H01L31/18
Abstract: 一种半叠层柔性硅基薄膜太阳能电池及其制备方法，属于硅基薄膜太阳能电池领域。该半叠层柔性硅基薄膜太阳能电池的结构包括依次连接的前电极、吸收体和背电极；其中，吸收体为PI1N1I2N2结构的半叠层吸收体，P为P型非晶硅层，I1为本征非晶硅层，N1为N1型非晶硅层，I2为本征微晶硅层，N2为N2型非晶硅层；其制备方法为，处理衬底层，根据结构，采用射频磁控溅射法依次沉积各层。该半叠层柔性硅基薄膜太阳能电池采用半叠层PI1N1I2N2结构，有效避免传统叠层电池中隧穿结的重掺杂问题。在减薄叠层电池厚度的基础上，半叠层结构可以提高电池的内建电场强度、短路电流和转化效率。采用的磁控溅射方法，沉积过程高效、清洁、易于控制。
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公开(公告)号：CN108550644A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810573107.3
申请日：2018-06-06
Applicant: 东北大学
IPC: H01L31/048 , H01L31/18
Abstract: 一种半叠层柔性硅基薄膜太阳能电池及其制备方法，属于硅基薄膜太阳能电池领域。该半叠层柔性硅基薄膜太阳能电池的结构包括依次连接的前电极、吸收体和背电极；其中，吸收体为PI1N1I2N2结构的半叠层吸收体，P为P型非晶硅层，I1为本征非晶硅层，N1为N1型非晶硅层，I2为本征微晶硅层，N2为N2型非晶硅层；其制备方法为，处理衬底层，根据结构，采用射频磁控溅射法依次沉积各层。该半叠层柔性硅基薄膜太阳能电池采用半叠层PI1N1I2N2结构，有效避免传统叠层电池中隧穿结的重掺杂问题。在减薄叠层电池厚度的基础上，半叠层结构可以提高电池的内建电场强度、短路电流和转化效率。采用的磁控溅射方法，沉积过程高效、清洁、易于控制。
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公开(公告)号：CN108588668A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810399652.5
申请日：2018-04-28
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明涉及一种用于制造柔性基底多层薄膜的卷绕镀膜系统。多个镀膜室与多个镀膜辊一一对应地设置，每个镀膜室包括一个或多个溅射单元，每个溅射单元包括升降装置、连接于升降装置的磁控溅射靶以及两个靶挡板，两个靶挡板位于磁控溅射靶和镀膜辊之间且间隔以形成延伸在磁控溅射靶和镀膜辊之间的溅射区间，磁控溅射靶和升降装置与电控装置连接。每个溅射区间设有抽气阀和布气阀，二者均与电控装置连接。该卷绕镀膜系统可独立控制每个溅射区间是否使用以及在使用时的工艺参数，能够随意控制镀膜的层数、靶材的种类，在柔性基底上一次性镀制多层工艺参数不同的膜层，提升镀膜效率。
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