公开(公告)号：CN110565107B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201910925658.6

申请日：2019-09-27

Applicant: 东北大学

Inventor： 谢宏伟 ,  魏东 ,  于可欣 ,  席卫国 ,  申庆达 ,  张雅辰

IPC: C25B1/00 ,  C25C7/00 ,  C30B29/06 ,  C30B30/02

Abstract: 一种调控高温熔盐中电化学沉积硅择优取向生长方法及装置，属于高温熔盐中电化学沉积硅领域。该方法以冶金硅为阳极，阴极材料为阴极，以氟硅酸盐和碱金属卤化物的混合物为熔盐电解质，采用其装置实现密封，并从进气口持续通入惰性气体，从出气口排出惰性气体，保持反应器内正压；升温，构建起高温、常压、无水，隔绝空气的环境；采用其装置对熔盐进行搅拌；电极间施加电压电沉积硅；在电沉积硅时，通过搅动熔盐电解质改变硅沉积电化学过程传质，实现调控高温熔盐中电化学沉积硅膜择优取向生长，甚至得到单晶硅沉积物。并提供了实现搅动熔盐并密封的装置，其实现了高温条件下，常压、无水，隔绝空气的熔盐环境中搅动熔盐的功能，成本低、操作简单。

公开(公告)号：CN110565107A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910925658.6

申请日：2019-09-27

Applicant: 东北大学

Inventor： 谢宏伟 ,  魏东 ,  于可欣 ,  席卫国 ,  申庆达 ,  张雅辰

IPC: C25B1/00 ,  C25C7/00 ,  C30B29/06 ,  C30B30/02

Abstract: 一种调控高温熔盐中电化学沉积硅择优取向生长方法及装置，属于高温熔盐中电化学沉积硅领域。该方法以冶金硅为阳极，阴极材料为阴极，以氟硅酸盐和碱金属卤化物的混合物为熔盐电解质，采用其装置实现密封，并从进气口持续通入惰性气体，从出气口排出惰性气体，保持反应器内正压；升温，构建起高温、常压、无水，隔绝空气的环境；采用其装置对熔盐进行搅拌；电极间施加电压电沉积硅；在电沉积硅时，通过搅动熔盐电解质改变硅沉积电化学过程传质，实现调控高温熔盐中电化学沉积硅膜择优取向生长，甚至得到单晶硅沉积物。并提供了实现搅动熔盐并密封的装置，其实现了高温条件下，常压、无水，隔绝空气的熔盐环境中搅动熔盐的功能，成本低、操作简单。