公开(公告)号：CN104990965B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201510365068.4

申请日：2015-06-29

Applicant: 东北大学

Inventor： 谢宏伟 ,  周嫦 ,  王士成 ,  肖倩

IPC: G01N27/26

Abstract: 一种纳米二氧化硅熔盐中电沉积硅膜基体电化学评估方法，按以下步骤进行：（1）将氯化钙置于反应器中；插入石墨电极；（2）将氯化钙加热形成熔盐，通过电极进行预电解，两电极的电压1.0±0.1V；（3）制作工作电极；（4）制成复合电极；（5）制成三电极体系；（6）将固态熔盐覆盖多晶硅片，加热熔化形成熔盐；（7）测量嵌入电位，通过塔菲尔曲线获得自腐蚀电位VCorr(X‑Si)；（8）向熔盐中加入纳米二氧化硅形成混合熔盐；（9）通过两个石墨电极对混合熔盐进行二次预电解；（10）通过三电极体系测量还原电位VR(SiO2)；（11）计算σ和δ。采用本发明的方法可通过简单的试验，分析何种材料可直接作为纳米二氧化硅在氯化钙熔盐中电化学还原电沉积硅膜的阴极基体。

公开(公告)号：CN104990965A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510365068.4

申请日：2015-06-29

Applicant: 东北大学

Inventor： 谢宏伟 ,  周嫦 ,  王士成 ,  肖倩

IPC: G01N27/26

Abstract: 一种纳米二氧化硅熔盐中电沉积硅膜基体电化学评估方法，按以下步骤进行：（1）将氯化钙置于反应器中；插入石墨电极；（2）将氯化钙加热形成熔盐，通过电极进行预电解，两电极的电压1.0±0.1V；（3）制作工作电极；（4）制成复合电极；（5）制成三电极体系；（6）将固态熔盐覆盖多晶硅片，加热熔化形成熔盐；（7）测量嵌入电位，通过塔菲尔曲线获得自腐蚀电位VCorr(X-Si)；（8）向熔盐中加入纳米二氧化硅形成混合熔盐；（9）通过两个石墨电极对混合熔盐进行二次预电解；（10）通过三电极体系测量还原电位VR(SiO2)；（11）计算σ和δ。采用本发明的方法可通过简单的试验，分析何种材料可直接作为纳米二氧化硅在氯化钙熔盐中电化学还原电沉积硅膜的阴极基体。