公开(公告)号：CN108529629A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810785582.7

申请日：2018-07-17

Applicant: 东北大学

Inventor： 李斌川 ,  韩庆 ,  孙敏 ,  王飞 ,  陈建设 ,  刘奎仁

IPC: C01B32/984

CPC classification number: C01B32/984 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/80

Abstract: 本发明涉及一种利用晶体硅切割废料制备碳化硅的方法，包括如下步骤：S1、将晶体硅切割废料、碳源、粘结剂和水混合得到待模压物料。S2、将待模压物料压制成型得到球团。S3、对球团干燥得到前驱体反应物。S4、将前驱体反应物置于反应炉中。S5、对反应炉通电，然后使炉体内保持一定温度并保温得到碳化硅结晶块。S6、对碳化硅结晶块进行破碎和处理，得到β-碳化硅粉。本发明中利用晶体硅切割废料制备碳化硅的方法首次将晶体硅切割废料与艾奇逊炉工艺相结合，不仅解决了现有中晶体硅切割废料对环境的污染问题和资源浪费的问题，同时制备时反应温度较低，大大降低了能耗、节约成本，且最终制得的为单一晶型的β-碳化硅。

公开(公告)号：CN108529630A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810786351.8

申请日：2018-07-17

Applicant: 东北大学

Inventor： 李斌川 ,  韩庆 ,  孙敏 ,  王飞 ,  陈建设 ,  刘奎仁

IPC: C01B32/984

Abstract: 本发明涉及一种采用内热法制备碳化硅的方法，包括如下步骤：步骤一、对晶体硅切割废料进行预处理。步骤二、将碳源、粘结剂、水和预处理后的晶体硅切割废料进行混合得到混合物料，然后压制成型得到球团，再对球团进行干燥。步骤三、将干燥后的球团置于反应炉。步骤四、将反应炉通电，然后使炉体内保持一定温度并保温得到碳化硅结晶块。步骤五、对碳化硅结晶块进行破碎和处理，得到α-碳化硅粉。本发明中采用内热法制备碳化硅的方法，首次将晶体硅切割废料与艾奇逊炉工艺相结合，能够大大降低反应温度、降低能耗，同时以晶体硅切割废料为原料、大大降低了生产成本，最终得到单一晶型的α-SiC。