-
公开(公告)号：CN102023064A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010511281.9
申请日：2010-10-19
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明涉及一种用于研制柔性传感器敏感单元的挤压式极间硫化成型封装法，属于传感器技术领域。该方法利用溶液共混法将纳米导电粉末分散到高分子基体中，通过反复添加有机溶剂并使其挥发的方法，使纳米导电粉末在高分子基体中充分分散，形成纳米导电粉末/高分子材料胶状物。将胶状物涂覆在两层覆合有电极的绝缘薄膜之间，采用微机控制挤压法，得到所需厚度的薄膜。该胶状物在硫化过程中对两层绝缘薄膜起到良好的黏连作用，并在两层电极之间直接硫化成型。利用本发明提出的成型封装法所研制的柔性传感器敏感单元具有厚度均匀、接触电阻小、工艺简单等优点，适合于低成本地研制基于复合型导电高分子材料的柔性传感器敏感单元。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102141451A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110084610.0
申请日：2011-04-06
Applicant: 东北大学
IPC: G01L1/16
Abstract: 本发明涉及一种电极旁置式柔软压敏探头研制方法，属于传感器技术领域。该探头由敏感区、传导区和接口区组成。敏感区和传导区包括三层柔软结构：中间层由导电高分子复合材料构成，最外两层为绝缘封装薄膜；接口区包括五层结构：中间层为导电高分子复合材料，次外两层为与后续电路连接的金属电极，最外两层为绝缘封装薄膜。导电高分子复合材料是利用溶液混合法将纳米导电粉末分散到高分子基体中制备而成。绝缘封装薄膜是利用催化剂和交联剂使液态高分子材料硫化成型制备而成。利用本发明提出的方法研制的压敏探头，其敏感区和传导区不含刚性电极，具有柔软性高、厚度薄、结构简约、工艺简单、成本低等优点，特别适用于曲面层间压力与位移测量。
-
公开(公告)号：CN102141451B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201110084610.0
申请日：2011-04-06
Applicant: 东北大学
IPC: G01L1/16
Abstract: 本发明涉及一种电极旁置式柔软压敏探头研制方法，属于传感器技术领域。该探头由敏感区、传导区和接口区组成。敏感区和传导区包括三层柔软结构：中间层由导电高分子复合材料构成，最外两层为绝缘封装薄膜；接口区包括五层结构：中间层为导电高分子复合材料，次外两层为与后续电路连接的金属电极，最外两层为绝缘封装薄膜。导电高分子复合材料是利用溶液混合法将纳米导电粉末分散到高分子基体中制备而成。绝缘封装薄膜是利用催化剂和交联剂使液态高分子材料硫化成型制备而成。利用本发明提出的方法研制的压敏探头，其敏感区和传导区不含刚性电极，具有柔软性高、厚度薄、结构简约、工艺简单、成本低等优点，特别适用于曲面层间压力与位移测量。
-
公开(公告)号：CN102023064B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010511281.9
申请日：2010-10-19
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明涉及一种用于研制柔性传感器敏感单元的挤压式极间硫化成型封装法，属于传感器技术领域。该方法利用溶液共混法将纳米导电粉末分散到高分子基体中，通过反复添加有机溶剂并使其挥发的方法，使纳米导电粉末在高分子基体中充分分散，形成纳米导电粉末/高分子材料胶状物。将胶状物涂覆在两层覆合有电极的绝缘薄膜之间，采用微机控制挤压法，得到所需厚度的薄膜。该胶状物在硫化过程中对两层绝缘薄膜起到良好的黏连作用，并在两层电极之间直接硫化成型。利用本发明提出的成型封装法所研制的柔性传感器敏感单元具有厚度均匀、接触电阻小、工艺简单等优点，适合于低成本地研制基于复合型导电高分子材料的柔性传感器敏感单元。
-
公开(公告)号：CN101975544B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201010511254.1
申请日：2010-10-19
Applicant: 东北大学
IPC: G01B7/02
Abstract: 本发明涉及一种基于复合型导电高分子压敏材料电阻蠕变的位移测量方法，属于测量技术领域。该方法不对电阻蠕变进行抑制，反而利用电阻蠕变实时反映位移的变化。在标定中，分别得到施载完成瞬间和蠕变阶段的电阻-应变特性，并分别编写相应的算法；在监测中，先通过电阻的变化判定压敏材料所处的受力阶段，再用相应的算法得到实时的位移值。本发明提出的测量方法，根据受力状态的不同，采用不同的标定方法和算法，并考虑了时间因素，进而消除了压敏材料电阻蠕变对位移测量的不利影响。由于不采用向基体中添加纳米粉末减小电阻蠕变的传统方法，因而保证了压敏材料的柔韧性。
-
公开(公告)号：CN101975544A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010511254.1
申请日：2010-10-19
Applicant: 东北大学
IPC: G01B7/02
Abstract: 本发明涉及一种基于复合型导电高分子压敏材料电阻蠕变的位移测量方法，属于测量技术领域。该方法不对电阻蠕变进行抑制，反而利用电阻蠕变实时反映位移的变化。在标定中，分别得到施载完成瞬间和蠕变阶段的电阻-应变特性，并分别编写相应的算法；在监测中，先通过电阻的变化判定压敏材料所处的受力阶段，再用相应的算法得到实时的位移值。本发明提出的测量方法，根据受力状态的不同，采用不同的标定方法和算法，并考虑了时间因素，进而消除了压敏材料电阻蠕变对位移测量的不利影响。由于不采用向基体中添加纳米粉末减小电阻蠕变的传统方法，因而保证了压敏材料的柔韧性。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.013 seconds)
