公开(公告)号：CN105040020A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510484983.5

申请日：2015-08-10

Applicant: 东北大学

Inventor： 徐君莉 ,  公维英 ,  谢开钰 ,  刘爱民 ,  李亮星 ,  张霞 ,  石忠宁

IPC: C25B1/00

Abstract: 一种利用离子液体低温电解SiO2制取高纯硅薄膜的方法，按以下步骤进行：（1）准备电解质的原料氟化咪唑离子液体、冰晶石、氢氟酸溶液和二氧化硅；（2）在电解槽内制成电解质，在惰性气体流通和搅拌条件下电解二氧化硅；（3）电解过程中补加二氧化硅；（4）每隔1~2h更换工作电极；（5）将硅膜剥落清洗烘干。本发明的方法相可以在低温下电沉积硅，得到的硅纯度高；为低成本、低污染的太阳能级硅薄膜绿色制备提供技术储备。

公开(公告)号：CN105040020B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201510484983.5

申请日：2015-08-10

Applicant: 东北大学

Inventor： 徐君莉 ,  公维英 ,  谢开钰 ,  刘爱民 ,  李亮星 ,  张霞 ,  石忠宁

IPC: C25B1/00

Abstract: 一种利用离子液体低温电解SiO2制取高纯硅薄膜的方法，按以下步骤进行：（1）准备电解质的原料氟化咪唑离子液体、冰晶石、氢氟酸溶液和二氧化硅（；2）在电解槽内制成电解质，在惰性气体流通和搅拌条件下电解二氧化硅；（3）电解过程中补加二氧化硅；（4）每隔1~2h更换工作电极（；5）将硅膜剥落清洗烘干。本发明的方法相可以在低温下电沉积硅，得到的硅纯度高；为低成本、低污染的太阳能级硅薄膜绿色制备提供技术储备。