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公开(公告)号:CN118064448B
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN202410188505.9
申请日:2024-02-20
Applicant: 东北农业大学
Abstract: 蜡质合成基因PpKCS6在调控草地早熟禾耐旱性中的应用,本发明属于基因领域,本发明的pKCS6基因的核苷酸序列如SEQ ID NO.1所示。所述的pKCS6基因在提高草地早熟禾耐干旱中的应用。本发明确定蜡质合成关键基因PpKCS6(3‑ketoacyl‑CoA synthase 6)在提高草地早熟禾耐干旱中的功能,揭示草地早熟禾叶表蜡质表型响应干旱胁迫的分子机制,为培育抗旱节水性草地早熟禾品种提供基因资源和理论依据。
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公开(公告)号:CN118064448A
公开(公告)日:2024-05-24
申请号:CN202410188505.9
申请日:2024-02-20
Applicant: 东北农业大学
Abstract: 蜡质合成基因PpKCS6在调控草地早熟禾耐旱性中的应用,本发明属于基因领域,本发明的pKCS6基因的核苷酸序列如SEQ ID NO.1所示。所述的pKCS6基因在提高草地早熟禾耐干旱中的应用。本发明确定蜡质合成关键基因PpKCS6(3‑ketoacyl‑CoA synthase 6)在提高草地早熟禾耐干旱中的功能,揭示草地早熟禾叶表蜡质表型响应干旱胁迫的分子机制,为培育抗旱节水性草地早熟禾品种提供基因资源和理论依据。
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