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公开(公告)号:CN117203490A
公开(公告)日:2023-12-08
申请号:CN202280027203.2
申请日:2022-03-25
Applicant: 东京计器株式会社
IPC: G01C19/5691
Abstract: 本发明公开一种曲面支撑结构体的制造方法及半球谐振陀螺仪,该制造方法包括:支撑部形成步骤,通过刻蚀在下晶圆的上表面上形成环状的凹部,刻蚀作为凹部的径向外侧的平面的径向外表面,并在凹部的大致中心部上形成具有比径向外表面高的顶点的支撑部;第一电极形成步骤,形成配置于径向外表面上的多个第一电极;牺牲层沉积步骤,在多个第一电极上形成环状的沉积图案作为牺牲层;第二电极形成步骤,在上晶圆的底面上形成与多个第一电极对应地配置的多个第二电极;粘合步骤,以多个第一电极和多个第二电极重叠的方式将上晶圆和下晶圆夹持着牺牲层而粘合;径向外部分离步骤,通过刻蚀分离位于上晶圆的第二电极的径向外侧的径向外部;非等压加热步骤,使模腔内的压力与环境压力不同,并真空加热上晶圆、下晶圆和牺牲层;以及牺牲层去除步骤,通过刻蚀去除牺牲层。
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公开(公告)号:CN112424613B
公开(公告)日:2023-12-29
申请号:CN201980047648.5
申请日:2019-07-16
Applicant: 东京计器株式会社
IPC: G01P15/08 , B81B3/00 , B81C1/00 , G01P15/125 , G01P15/13
Abstract: 本发明提供一种能够简化制造的三维结构部件的制造方法。三维结构部件的制造方法是对平板状的基体材料(10A)进行成形而制造具有厚度不同的多个部分(11~14)的三维结构部件的方法,其包括:掩模形成工序,在基体材料(10A)的至少一个主面的整体上形成掩模(30);掩模除去工序,除去掩模(30)的一部分;以及蚀刻工序,对基体材料(10A)的露出的部分进行蚀刻,针对与三维结构部件的多个部分(11~14)分别对应的掩模(30)以及基体材料(10A),按照三维结构部件的厚度较薄的顺序进行掩模除去工序和蚀刻工序的组。
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公开(公告)号:CN112424613A
公开(公告)日:2021-02-26
申请号:CN201980047648.5
申请日:2019-07-16
Applicant: 东京计器株式会社
IPC: G01P15/08 , B81B3/00 , B81C1/00 , G01P15/125 , G01P15/13
Abstract: 本发明提供一种能够简化制造的三维结构部件的制造方法。三维结构部件的制造方法是对平板状的基体材料(10A)进行成形而制造具有厚度不同的多个部分(11~14)的三维结构部件的方法,其包括:掩模形成工序,在基体材料(10A)的至少一个主面的整体上形成掩模(30);掩模除去工序,除去掩模(30)的一部分;以及蚀刻工序,对基体材料(10A)的露出的部分进行蚀刻,针对与三维结构部件的多个部分(11~14)分别对应的掩模(30)以及基体材料(10A),按照三维结构部件的厚度较薄的顺序进行掩模除去工序和蚀刻工序的组。
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