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公开(公告)号:CN115595557A
公开(公告)日:2023-01-13
申请号:CN202210756436.8
申请日:2022-06-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社(JP)
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/56
Abstract: 本发明提供改善温度控制性的成膜方法和热处理装置。成膜方法在热处理装置中执行,上述热处理装置包括处理容器、上述处理容器内的管状部件、对上述处理容器内进行加热的加热部和气体供给部,上述成膜方法包括:在上述管状部件内准备基片的工序;利用上述加热部调节上述管状部件内的温度的工序;和在调节了上述温度后,从上述气体供给部向上述处理容器内供给包含成膜气体的气体,来在基片成膜的工序,在上述调节温度的工序中,从上述气体供给部向上述处理容器内供给包含传热气体的气体。