公开(公告)号：CN117133620A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310566924.7

申请日：2023-05-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： M·F·宾·布迪曼 ,  森北信也 ,  浦川理史

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供在更换基片处理装置内的环部件时，能够高精度地对环部件进行对位的基片处理装置和环部件的对位方法。基片处理装置包括：等离子体处理腔室；被收纳在等离子体处理腔室内的支承台；设置在基片的周围的内侧边缘环；设置在内侧边缘环的周围的外侧边缘环，其具有第一对位部，在俯视时内侧边缘环的外周部与外侧边缘环的内周部重叠；外侧边缘环用的静电卡盘，其配置在支承台的与外侧边缘环相对的位置；和升降器，其能够使内侧边缘环和/或外侧边缘环上下移动，基片处理装置能够在驱动外侧边缘环用的静电卡盘吸附了外侧边缘环的状态下，利用第一对位部将内侧边缘环与外侧边缘环进行对位。

公开(公告)号：CN119013771A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202380034237.9

申请日：2023-04-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： M·F·宾·布迪曼

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明公开的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、一个以上的高频电源和修正电源。一个以上的高频电源构成为能够在腔室内从气体生成等离子体的开启期间中对腔室供给一个以上的高频电功率。修正电源构成为能够在开启期间内的一个以上的第一期间中，对边缘环施加负电压。一个以上的第一期间的每一者相当于多个最长波形周期的长度，最长波形周期是一个以上的高频电功率的波形周期中的最长波形周期。修正电源构成为能够在开启期间内的一个以上的第二期间中，停止对边缘环施加负电压的。一个以上的第二期间的每一者相当于多个最长波形周期的长度。

公开(公告)号：CN119522475A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202380052520.4

申请日：2023-07-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： M·F·宾·布迪曼 ,  森北信也

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明的监视方法包括：确定向在腔室内设置于基片支承部内的多个分区的加热器提供了的第一电功率的步骤。第一电功率是在腔室内生成等离子体且各分区由设置于其中的加热器控制为一定温度时的电功率。监视方法还包括：确定向各分区去的来自等离子体的热通量的步骤。向各分区去的来自等离子体的热通量，通过将向设置于各分区的加热器提供的第二电功率与第一电功率之差除以各分区的面积而得到。向各分区提供的第二电功率是在腔室内没有生成等离子体且各分区由设置于其中的加热器控制为一定温度时向加热器提供的电功率。