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公开(公告)号：CN113496888A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110253407.5
申请日：2021-03-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够进行比气体切换方式高速且高选择比的蚀刻的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法具有：步骤a，向配置有载置台的处理容器中供给包含碳氟化合物和稀有气体的处理气体，其中，在载置台载置有包含由氧化硅构成的第一区域的被处理体；步骤b，用在第一等离子体生成条件下生成的处理气体的第一等离子体，对被处理体进行等离子体处理；步骤c，用在与第一等离子体生成条件不同的第二等离子体生成条件下生成的处理气体的第二等离子体，对被处理体上产生了偏置电位的该被处理体进行等离子体处理；和步骤d，反复进行步骤b和步骤c。
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