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公开(公告)号：CN100492601C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200610146815.6
申请日：2006-11-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，该方法即使在处理大型玻璃基板的情况下，也能够得到氮化硅膜相对于含有高熔点金属材料的源极-漏极电极的充分的蚀刻选择比。通过使用含有CF4和O2的处理气体进行等离子体蚀刻处理，一次形成贯通钝化膜(108)和栅极绝缘膜(103)、到达栅极电极(102)的孔(111)，和贯通钝化膜(108)、到达漏极电极(107)的孔(112)。栅极绝缘膜(103)相对于漏极电极(107)表面的Mo层(107c)以高的蚀刻选择比被蚀刻。
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公开(公告)号：CN111326395B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201911265106.3
申请日：2019-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括：第1步骤，其在形成于基片上的有疏密的图案上形成第1膜；和对第1膜进行溅射或蚀刻的第2步骤。本发明能够实现形成于基片上的图案的精密的尺寸控制。
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公开(公告)号：CN109219867B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201780034555.X
申请日：2017-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/28 , H01L21/768
Abstract: 本发明的蚀刻方法，通过对被处理体进行等离子体处理，相对于由氮化硅形成的第2区域(R2)，有选择地蚀刻由氧化硅形成的第1区域(R1)，其中，被处理体具有划成凹部的第2区域(R2)、填埋该凹部的第1区域(R1)、和设置在第1区域(R1)上的掩模(MK)，该蚀刻方法包括：生成包含碳氟化合物气体的处理气体的等离子体的第1步骤；和利用沉积物中所含的碳氟化合物的自由基对第1区域进行蚀刻的第2步骤，在第2步骤中脉冲波状地施加有助于等离子体的形成的高频电功率，反复执行第1步骤和第2步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112585728B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201980054485.3
申请日：2019-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 提供一种处理方法，包括：埋入工序，在形成有凹部的基底膜埋入有机膜；以及蚀刻工序，在所述埋入工序之后，进行蚀刻直到所述基底膜的顶部的至少一部分暴露为止。
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公开(公告)号：CN111326395A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201911265106.3
申请日：2019-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括：第1步骤，其在形成于基片上的有疏密的图案上形成第1膜；和对第1膜进行溅射或蚀刻的第2步骤。本发明能够实现形成于基片上的图案的精密的尺寸控制。
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公开(公告)号：CN109219867A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201780034555.X
申请日：2017-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/28 , H01L21/768
Abstract: 本发明的蚀刻方法，通过对被处理体进行等离子体处理，相对于由氮化硅形成的第2区域(R2)，有选择地蚀刻由氧化硅形成的第1区域(R1)，其中，被处理体具有划成凹部的第2区域(R2)、填埋该凹部的第1区域(R1)、和设置在第1区域(R1)上的掩模(MK)，该蚀刻方法包括：生成包含碳氟化合物气体的处理气体的等离子体的第1步骤；和利用沉积物中所含的碳氟化合物的自由基对第1区域进行蚀刻的第2步骤，在第2步骤中脉冲波状地施加有助于等离子体的形成的高频电功率，反复执行第1步骤和第2步骤。
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公开(公告)号：CN112585728A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980054485.3
申请日：2019-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 提供一种处理方法，包括：埋入工序，在形成有凹部的基底膜埋入有机膜；以及蚀刻工序，在所述埋入工序之后，进行蚀刻直到所述基底膜的顶部的至少一部分暴露为止。
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公开(公告)号：CN1971856A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610146815.6
申请日：2006-11-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，该方法即使在处理大型玻璃基板的情况下，也能够得到氮化硅膜相对于含有高熔点金属材料的源极－漏极电极的充分的蚀刻选择比。通过使用含有CF4和O2的处理气体进行等离子体蚀刻处理，一次形成贯通钝化膜(108)和栅极绝缘膜(103)、到达栅极电极(102)的孔(111)，和贯通钝化膜(108)、到达漏极电极(107)的孔(112)。栅极绝缘膜(103)相对于漏极电极(107)表面的Mo层(107c)以高的蚀刻选择比被蚀刻。
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