公开(公告)号：CN119631167A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202380056590.7

申请日：2023-07-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 孙亮 ,  佐佐木胜 ,  石原保正 ,  藤井弘 ,  村上贵宏 ,  药师寺秀明

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/42

Abstract: 等离子体处理装置用的部件的制造方法包括以下工序：工序(A)，准备芯材，所述芯材的形状与所述电极的最终形状相似且比所述最终形状小；工序(B)，通过成膜装置在所述芯材形成SiC层叠部；以及工序(C)，通过至少去除所述SiC层叠部的一部分来形成SiC层并加工成所述最终形状。由此，能够高精度地制造具有SiC的等离子体处理装置用的部件。

公开(公告)号：CN101266923A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810085446.3

申请日：2008-03-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大西正 ,  藤井弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H05B3/143

Abstract: 本发明提供一种能够在同一处理室内急速地加热、冷却基板的基板处理装置和基板处理方法。所述基板处理装置(22)用于在处理室(41)内对基板W进行处理，其包括：在处理室(41)内支撑基板W的支撑部件(47)；与支撑部件(47)热接触的第一温度调节部件(75)；和能够相对于支撑部件(47)热接触以及隔离的第二温度调节部件(80)，第一温度调节部件(75)和第二温度调节部件(80)被温度调节至互相不同的温度。通过使第二温度调节部件(80)相对于支撑部件(47)热接触以及隔离而能够急速地加热、冷却支撑在支撑部件(47)上的晶片W。