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公开(公告)号：CN116075924A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202180061683.X
申请日：2021-09-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法包括：在半导体基板上或在形成于半导体基板的下部电极上，形成电介质膜的工序；使金属选择性地附着在电介质膜的表面上的规定区域的工序；通过对金属实施热处理，在电介质膜的表面上的规定区域形成绝缘性的金属氧化膜的工序；以及在电介质膜的表面上的规定区域形成有金属氧化膜的状态下，在电介质膜上形成上部电极的工序。
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