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发明公开
等离子体处理装置和控制源高频功率的源频率的方法审中-实审

公开(公告)号：CN119586327A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202380054512.3

申请日：2023-07-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 矢崎雄马 , 永海幸一 , 菊池优人

IPC: H05H1/46

Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括腔室、基板支承部、高频电源和偏置电源。基板支承部具有偏置电极，设置在腔室内。高频电源构成为为了在腔室内生成等离子体而产生源高频功率。偏置电源构成为向偏置电极周期性地供给具有波形周期的电偏置。高频电源构成为将波形周期中的多个相位期间各自的源高频功率的源频率设定为对先行的波形周期内的同一相位期间的源频率加上用于抑制源高频功率的反射的程度的频率偏移量和随机噪声而得到的频率。

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