公开(公告)号：CN1871554A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200480031340.5

申请日：2004-11-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩 ,  稻沢刚一郎

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/311

CPC classification number: G03F7/427 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明公开了一种用于在等离子体处理系统中从衬底去除光刻胶的方法和系统，包括：引入包含NxOy的处理气体，其中x和y表示大于或者等于1的整数。此外，处理化学物可以还包括添加的惰性气体，诸如稀有气体(即He、Ne、Ar、Kr、Xe、Rn)。本发明还描述了一种用于在衬底上的薄膜中形成特征的方法，其中该方法包括：在衬底上形成介电层；在介电层上形成光刻胶图案；通过刻蚀将光刻胶图案转移到介电层；以及利用由包含NxOy的处理气体形成的等离子体从介电层去除光刻胶，其中x和y是大于或者等于1的整数。

公开(公告)号：CN100576475C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200580046337.5

申请日：2005-12-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 稻沢刚一郎 ,  瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩 ,  畑村安则 ,  萩原正明 ,  西村荣一

IPC: H01L21/461

CPC classification number: H01L21/02063 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138 ,  H01L22/26

Abstract: 提供了一种用于等离子体灰化以去除在先前的介电层的等离子体刻蚀期间形成的光刻胶残余和刻蚀残留物的方法。该灰化方法使用涉及含氢气体的两步等离子体工艺，其中在第一清洁步骤中向衬底施加低偏置或零偏置以从衬底上去除显著量的光刻胶残余和刻蚀残留物，并且从室表面上刻蚀并去除有害的氟碳残留物。在第二清洁步骤中向衬底施加增大的偏置以从衬底上去除剩余的光刻胶和刻蚀残留物。在第二清洁步骤中采用了小于20mTorr的室压强。两步工艺减少了常在传统的一步灰化工艺中观察到的记忆效应。一种结束点检测方法可以用于监视灰化工艺。

公开(公告)号：CN101099234A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200580046337.5

申请日：2005-12-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 稻沢刚一郎 ,  瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩 ,  畑村安则 ,  萩原正明 ,  西村荣一

IPC: H01L21/461

CPC classification number: H01L21/02063 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138 ,  H01L22/26

Abstract: 提供了一种用于等离子体灰化以去除在先前的介电层的等离子体刻蚀期间形成的光刻胶残余和刻蚀残留物的方法。该灰化方法使用涉及含氢气体的两步等离子体工艺，其中在第一清洁步骤中向衬底施加低偏置或零偏置以从衬底上去除显著量的光刻胶残余和刻蚀残留物，并且从室表面上刻蚀并去除有害的氟碳残留物。在第二清洁步骤中向衬底施加增大的偏置以从衬底上去除剩余的光刻胶和刻蚀残留物。在第二清洁步骤中采用了小于20mTorr的室压强。两步工艺减少了常在传统的一步灰化工艺中观察到的记忆效应。一种结束点检测方法可以用于监视灰化工艺。