公开(公告)号：CN110176400B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN201910115973.2

申请日：2019-02-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 泷野裕辅 ,  藤田健太郎 ,  柳泽佑典

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种处理方法。一实施方式的处理方法中，被加工物的第1氮化区域被蚀刻。第1氮化区域设置于硅制的第1凸部上。被加工物还具有第2凸部、第2氮化区域及有机区域。第2凸部为硅制，第2氮化区域含硅及氮，并设置于第2凸部上。有机区域覆盖第1及第2凸部以及第1及第2氮化区域。处理方法中，有机区域局部被蚀刻而露出第1氮化区域。接着，以覆盖由被加工物制成的中间产物的表面的方式形成硅氧化膜。接着，蚀刻硅氧化膜以便露出第1氮化区域的上表面。接着，第1氮化区域被各向同性地蚀刻。

公开(公告)号：CN110176400A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201910115973.2

申请日：2019-02-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 泷野裕辅 ,  藤田健太郎 ,  柳泽佑典

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种处理方法。一实施方式的处理方法中，被加工物的第1氮化区域被蚀刻。第1氮化区域设置于硅制的第1凸部上。被加工物还具有第2凸部、第2氮化区域及有机区域。第2凸部为硅制，第2氮化区域含硅及氮，并设置于第2凸部上。有机区域覆盖第1及第2凸部以及第1及第2氮化区域。处理方法中，有机区域局部被蚀刻而露出第1氮化区域。接着，以覆盖由被加工物制成的中间产物的表面的方式形成硅氧化膜。接着，蚀刻硅氧化膜以便露出第1氮化区域的上表面。接着，第1氮化区域被各向同性地蚀刻。

公开(公告)号：CN111819665A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201980017815.1

申请日：2019-07-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柳泽佑典 ,  泷野裕辅

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H05H1/46

Abstract: 蚀刻方法包括：在被处理体形成第二膜的成膜步骤，其中被处理体具有：处理对象膜；形成于处理对象膜上的具有多个凸部的层；和覆盖多个凸部之间露出的处理对象膜及各凸部的第一膜；第一蚀刻步骤，其以使第二膜残存于第一膜中覆盖各凸部的侧面的部分的状态对第二膜进行蚀刻；以及第二蚀刻步骤，其在使第二膜残存于第一膜中覆盖各凸部的侧面的部分的状态下对第一膜进行蚀刻，由此使各凸部的顶部和多个凸部之间的处理对象膜露出。