公开(公告)号：CN113643953A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202110429611.8

申请日：2021-04-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中一光 ,  李黎夫 ,  辻本宏 ,  寺泽淳

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供基片处理装置和基片处理装置的控制方法，在等离子体处理装置中，能够相对于吸引用的高频电功率调整以高功率对等离子体供给等离子体产生用的高频电功率的时刻。基片处理装置包括：载置基片的基片载置台；第一高频电源，其对上述基片载置台供给第一频率的第一高频电功率；阻抗变换器，其将从上述第一高频电源观察到的负载侧的阻抗变换为所设定的设定阻抗；第二高频电源，其对上述基片载置台供给比上述第一频率低的第二频率的第二高频电功率；和控制部，其控制上述阻抗变换器的上述设定阻抗，上述控制部根据基片处理来设定上述设定阻抗。

公开(公告)号：CN118679555A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202380020497.0

申请日：2023-02-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中一光 ,  寺泽淳

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 所公开的方法包括在等离子体处理装置的腔室内生成等离子体的工序(a)。等离子体处理装置包括设置于腔室内的基板支撑部。基板支撑部包括支撑基板的第1区域和支撑边缘环的第2区域。第1区域包括第1电极，第2区域包括第2电极，方法进一步包括工序(b)，所述工序(b)分别对第1电极及第2电极周期性地施加电压的脉冲，以便将离子从等离子体引入到基板支撑部。方法进一步包括工序(c)，所述工序(c)为根据电压的脉冲分别被施加到第1电极及第2电极时的第1电极的第1电压值及第2电极的第2电压值，求出边缘环的消耗量。