公开(公告)号：CN104882360B

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201510089197.5

申请日：2015-02-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宇田浩 ,  辻本宏 ,  原田彰俊 ,  药师寺秀明 ,  杉山正治

IPC: H01L21/02 ,  B08B3/00

Abstract: 本发明涉及简便且有效地除去残留在等离子体处理装置的处理容器内的含Ti反应物的方法。在Low‑k膜的蚀刻加工中，紧接在完成了干蚀刻步骤(S2)之后，在将半导体晶片保持在静电吸盘(40)上的状态下，执行具有晶片的干清洁的步骤(步骤S3)。该具有晶片的干清洁步骤(S3)，主要为了除去残留在腔室(10)内的含Ti反应物，由处理气体供给部(70)以规定的流量比将包括H2气体和N2气体的清洁气体导入腔室(10)内，将等离子体生成用的第一高频(HF)以规定的功率施加到基座(12)上，在腔室(10)内，利用清洁气体的高频放电生成等离子体。

公开(公告)号：CN104882360A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510089197.5

申请日：2015-02-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宇田浩 ,  辻本宏 ,  原田彰俊 ,  药师寺秀明 ,  杉山正治

IPC: H01L21/02 ,  B08B3/00

Abstract: 本发明涉及简便且有效地除去残留在等离子体处理装置的处理容器内的含Ti反应物的方法。在Low-k膜的蚀刻加工中，紧接在完成了干蚀刻步骤(S2)之后，在将半导体晶片保持在静电吸盘(40)上的状态下，执行具有晶片的干清洁的步骤(步骤S3)。该具有晶片的干清洁步骤(S3)，主要为了除去残留在腔室(10)内的含Ti反应物，由处理气体供给部(70)以规定的流量比将包括H2气体和N2气体的清洁气体导入腔室(10)内，将等离子体生成用的第一高频(HF)以规定的功率施加到基座(12)上，在腔室(10)内，利用清洁气体的高频放电生成等离子体。