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公开(公告)号：CN114188243B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202111334272.1
申请日：2017-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/66
Abstract: 提供一种基板处理系统和基板处理装置的管理方法。通过对与基板的周缘部的膜去除有关的信息进行管理，能够长期地稳定地运用基板处理装置。具备：测定处理工序，基于通过由所述拍摄部对基于基板处理制程被处理后的基板的周缘部进行拍摄所得到的拍摄图像，测定所述膜的去除宽度；制作工序，制作将所述膜的去除宽度的设定值、通过所述测定处理工序测定出的膜的去除宽度的测定值以及得到所述测定结果的时刻信息相关联的管理列表；分析工序，基于制作出的所述管理列表来分析基板处理的状态；以及通知工序，根据所述分析工序的分析结果，对使用者进行规定的通知。
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公开(公告)号：CN107221491B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201710128384.9
申请日：2017-03-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在将多个不同种类的清洗液向刷子供给的情况下、也能够进行良好的清洗处理的基板清洗装置。实施方式的基板清洗装置具备基板保持部、刷子、臂、喷出部以及引导构件。基板保持部将基板保持成可旋转。刷子具有：主体部；清洗体，其设置于主体部的下部，能够被按压于基板；空心部，其形成于主体部，上下两端开口。臂借助主轴将刷子的主体部支承成可旋转。喷出部设置于臂，可对多个种类的处理液进行切换而喷出。引导构件配置于喷出部与刷子之间，暂且接收从喷出部喷出来的处理液并向刷子的空心部引导。
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公开(公告)号：CN105632976B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201510846534.0
申请日：2015-11-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供一种测量处理装置及方法、基板处理系统、测量用工具。能够不导致系统的大型化地在短时间内确认基板的膜去除的状态和包围构件的保持状态。利用设置于包围构件(302)的上方的第一摄像机～第三摄像机(601～603)来拍摄被去除了周缘部的处理膜的晶圆(W)和包围构件(302)，在测量处理装置(800)中，通过对由这些摄像机得到的摄像图像进行处理来测量晶圆(W)的周缘部中不存在上述处理膜的切割宽度以及晶圆(W)的周缘端与包围构件(302)之间的间隙宽度。
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公开(公告)号：CN107275200A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710141991.9
申请日：2017-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67253 , H01L21/67028 , H01L21/67132 , H01L21/67259 , H01L21/67288 , H01L21/681 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L21/304
Abstract: 提供一种基板处理装置的管理方法和基板处理系统。通过对与基板的周缘部的膜去除有关的信息进行管理，能够长期地稳定地运用基板处理装置。具备：测定处理工序，基于通过由所述拍摄部对基于基板处理制程被处理后的基板的周缘部进行拍摄所得到的拍摄图像，测定所述膜的去除宽度；制作工序，制作将所述膜的去除宽度的设定值、通过所述测定处理工序测定出的膜的去除宽度的测定值以及得到所述测定结果的时刻信息相关联的管理列表；分析工序，基于制作出的所述管理列表来分析基板处理的状态；以及通知工序，根据所述分析工序的分析结果，对使用者进行规定的通知。
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公开(公告)号：CN105632976A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510846534.0
申请日：2015-11-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供一种测量处理装置及方法、基板处理系统、测量用工具。能够不导致系统的大型化地在短时间内确认基板的膜去除的状态和包围构件的保持状态。利用设置于包围构件(302)的上方的第一摄像机～第三摄像机(601～603)来拍摄被去除了周缘部的处理膜的晶圆(W)和包围构件(302)，在测量处理装置(800)中，通过对由这些摄像机得到的摄像图像进行处理来测量晶圆(W)的周缘部中不存在上述处理膜的切割宽度以及晶圆(W)的周缘端与包围构件(302)之间的间隙宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103165496A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210535939.9
申请日：2012-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 天野嘉文
CPC classification number: B08B3/04 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。该基板处理装置抑制不同的药液混合。基板处理装置（1）具有：基板保持部（21），其用于水平地保持晶圆（W）；旋转驱动部（24），其用于使基板保持部（21）旋转；第1药液喷嘴（73），其用于向晶圆（W）的周缘部上的第1药液供给位置（74a）喷出第1药液；第2药液喷嘴（83），其用于向晶圆W的周缘部上的第2药液供给位置（84a）喷出第2药液。当第1药液喷嘴（73）喷出第1药液时，旋转驱动部（24）使基板保持部（21）向第1旋转方向（R1）旋转，并且，当第2药液喷嘴（83）喷出第2药液时，旋转驱动部（24）使基板保持部（21）向第2旋转方向（R2）旋转。
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公开(公告)号：CN101802982B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200980100353.6
申请日：2009-05-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67051
Abstract: 本发明提供一种液体处理装置和液体处理方法，液体处理装置包括：第二壳体(20)；能与第二壳体(20)抵接的第一壳体(10)；用于保持被处理体(W)的保持部(1)；使由保持部(1)保持的被处理体(W)旋转的旋转驱动部(60)；将处理液供给到由保持部(1)保持的被处理体(W)的正面的周缘部的正面侧处理液供给喷嘴(51a、52a)；被配置在由保持部(1)保持的被处理体(W)的背面侧并用于存储经过了被处理体(W)的处理液的存储部(23)。第一壳体(10)和第二壳体(20)分别能向一个方向移动，第一壳体(10)和第二壳体(20)能抵接和分离开。
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公开(公告)号：CN111834251B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202010276204.3
申请日：2020-04-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种效率良好地加热基板的下表面周缘部的基板处理装置。本公开的基板处理装置具备保持部和加热机构。保持部以基板能够旋转的方式保持该基板的下表面中央部。加热机构向基板的下表面供给加热后的流体。另外，加热机构具备多个翅片、热源、流体导入部、以及流体喷出部。多个翅片在基板的下方且是保持部的外侧沿着基板的周向配置。热源加热多个翅片。流体导入部向多个翅片导入流体。流体喷出部向基板的下表面喷出通过多个翅片而被加热了的流体。
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公开(公告)号：CN112053970B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202010475873.3
申请日：2020-05-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种能够精度良好地蚀刻基板的周缘部的基板处理装置。本公开的一形态的基板处理装置具备基板旋转部、气液分离部以及排气路径。基板旋转部保持基板并使该基板旋转。气液分离部以包围基板旋转部的外周的方式设置，使气体和液滴分离。排气路径以包围气液分离部的外周的方式设置，对由气液分离部分离后的气体进行排气。
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公开(公告)号：CN118335649A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311843451.7
申请日：2023-12-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开说明能够抑制异物的相对于基板的周缘部的上表面的附着的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备支承部、供给部、环状构件、旋转部、罩构件、以及配置于罩构件的上方的环状的整流构件。环状构件包括倾斜面，该倾斜面在环状构件的径向上随着向环状构件的中心侧去而向下方倾斜。整流构件包括：基座部；以及突出部，其与支承于支承部的基板的周缘部相对，并且自基座部朝向基板的周缘部突出。突出部在从上下方向观察时与支承部重叠。突出部的下表面位于比支承于支承部的基板的上表面靠上方且是比环状构件的上表面靠下方的位置。突出部的内周面随着自上方向下方去而朝向径向外方倾斜。
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