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公开(公告)号：CN114496701B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202111292961.0
申请日：2021-11-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置及其制造方法和等离子体处理方法，即使在等离子体处理装置大型化的情况下，也能够使放电稳定。等离子体处理装置在生成有等离子体的处理容器的处理室中对基片进行处理，并包括：等离子体生成用高频电源；能够载置上述基片并与偏置用高频电源电连接的载置台；金属制的保护部件，其覆盖被接地的上述处理容器中的、与上述处理室连通的露出面的至少一部分；第一接地电位部件，其利用金属制的第一紧固部件与上述保护部件的一端紧固，并与上述处理容器的一部分接触而具有接地电位；和第二接地电位部件，其利用金属制的第二紧固部件与上述保护部件的另一端紧固，并与上述处理容器的另一部分接触而具有接地电位。
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公开(公告)号：CN111192838B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201911096333.8
申请日：2019-11-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，抑制不稳定的放电。等离子体处理装置具有：处理室，其在内部设置有用于载置基板的载置台，对基板实施等离子体处理；高频电源，其对载置台施加偏压用的高频电力；以及多个板状构件，其由导电性材料形成，与接地电位连接，配置到处理室的内表面。
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公开(公告)号：CN114496701A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111292961.0
申请日：2021-11-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置及其制造方法和等离子体处理方法，即使在等离子体处理装置大型化的情况下，也能够使放电稳定。等离子体处理装置在生成有等离子体的处理容器的处理室中对基片进行处理，并包括：等离子体生成用高频电源；能够载置上述基片并与偏置用高频电源电连接的载置台；金属制的保护部件，其覆盖被接地的上述处理容器中的、与上述处理室连通的露出面的至少一部分；第一接地电位部件，其利用金属制的第一紧固部件与上述保护部件的一端紧固，并与上述处理容器的一部分接触而具有接地电位；和第二接地电位部件，其利用金属制的第二紧固部件与上述保护部件的另一端紧固，并与上述处理容器的另一部分接触而具有接地电位。
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公开(公告)号：CN111192838A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911096333.8
申请日：2019-11-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，抑制不稳定的放电。等离子体处理装置具有：处理室，其在内部设置有用于载置基板的载置台，对基板实施等离子体处理；高频电源，其对载置台施加偏压用的高频电力；以及多个板状构件，其由导电性材料形成，与接地电位连接，配置到处理室的内表面。
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