公开(公告)号：CN105603389B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201510767208.0

申请日：2015-11-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 岩崎征英 ,  反田雄太

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45548 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32449

Abstract: 本申请提供一种基板处理装置，包括：载置台，其用于载置基板(W)，并以轴线(X)为中心进行旋转；天线，其设于第1区域；以及反应气体供给部，其用于向第1区域供给反应气体。反应气体供给部具有内侧喷射口和外侧喷射口。内侧喷射口在从轴线(X)的方向观察时设置在比天线的区域靠近轴线(X)的位置，并向远离轴线(X)的方向喷射反应气体。外侧喷射口在从轴线(X)的方向观察时设置在比天线的区域远离轴线(X)的位置，并向靠近轴线(X)的方向喷射被与从内侧喷射口喷射的反应气体的流量独立地控制的流量的反应气体。

公开(公告)号：CN113774355A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202110614529.2

申请日：2021-06-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 反田雄太 ,  齐藤哲也 ,  大仓成幸 ,  古屋雄一 ,  原正道

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

Abstract: 本公开提供一种成膜装置和成膜方法，能够进行抑制了微粒的影响的成膜。在基板上形成膜的成膜装置具有：腔室；基板载置台，其设置于腔室内，载置基板并且将基板保持为成膜温度；气体供给部，其供给包含成膜原料气体的气体；气体喷出构件，其与基板载置台相向地设置，具有用于喷出从气体供给部供给的包含成膜原料气体的气体的气体喷出区；以及过滤器，其以覆盖气体喷出构件的同与基板载置台相向的相向面相反一侧的面的至少气体喷出区的方式设置，所述过滤器使包含成膜原料气体的气体通过来捕获包含成膜原料气体的气体中的微粒。

公开(公告)号：CN109994362A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201811515532.3

申请日：2018-12-11

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 白承宰 ,  南宫铉 ,  李泰宗 ,  金善政 ,  金周妍 ,  吹上纪明 ,  岩崎征英 ,  反田雄太

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

Abstract: 本公开提供了一种半导体处理室。半导体处理室包括：基座，多个晶片设置在基座上；喷头结构，与基座相对并设置为与基座间隔开；多个板，与基座相对并设置为与基座间隔开；以及阻挡结构，设置在多个板之中的彼此相邻设置的板之间，其中，喷头结构与基座之间的距离小于多个板与基座之间的距离，并且阻挡结构与基座之间的距离小于多个板与基座之间的距离。

公开(公告)号：CN105603389A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510767208.0

申请日：2015-11-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 岩崎征英 ,  反田雄太

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45548 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32449

Abstract: 本申请提供一种基板处理装置，包括：载置台，其用于载置基板(W)，并以轴线(X)为中心进行旋转；天线，其设于第1区域；以及反应气体供给部，其用于向第1区域供给反应气体。反应气体供给部具有内侧喷射口和外侧喷射口。内侧喷射口在从轴线(X)的方向观察时设置在比天线的区域靠近轴线(X)的位置，并向远离轴线(X)的方向喷射反应气体。外侧喷射口在从轴线(X)的方向观察时设置在比天线的区域远离轴线(X)的位置，并向靠近轴线(X)的方向喷射被与从内侧喷射口喷射的反应气体的流量独立地控制的流量的反应气体。