公开(公告)号：CN111383898B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN201911325098.7

申请日：2019-12-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久富龙晃 ,  舆水地盐 ,  斋藤道茂

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，涉及能够控制离子的撞击能量的技术，其包括：处理容器；在所述处理容器内载置被处理体的电极；对所述处理容器内供给等离子体的等离子体生成源；对所述电极供给所希望的波形的偏置功率的偏置电源；暴露于所述处理容器内的等离子体的零件；对所述零件供给所希望的波形的电压的电源；具有包含第1控制顺序的程序的存储介质，该第1控制顺序使所述电压周期性地反复具有第1电压值的第1状态和具有比所述第1电压值高的第2电压值的第2状态，在所述电极的电位的各周期内的部分期间施加所述第1电压值，以所述第1状态与所述第2状态连续的方式施加所述第2电压值；和能够执行所述存储介质的程序的控制部。

公开(公告)号：CN111383898A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911325098.7

申请日：2019-12-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久富龙晃 ,  舆水地盐 ,  斋藤道茂

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，涉及能够控制离子的撞击能量的技术，其包括：处理容器；在所述处理容器内载置被处理体的电极；对所述处理容器内供给等离子体的等离子体生成源；对所述电极供给所希望的波形的偏置功率的偏置电源；暴露于所述处理容器内的等离子体的零件；对所述零件供给所希望的波形的电压的电源；具有包含第1控制顺序的程序的存储介质，该第1控制顺序使所述电压周期性地反复具有第1电压值的第1状态和具有比所述第1电压值高的第2电压值的第2状态，在所述电极的电位的各周期内的部分期间施加所述第1电压值，以所述第1状态与所述第2状态连续的方式施加所述第2电压值；和能够执行所述存储介质的程序的控制部。