公开(公告)号：CN103429427B

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201280014292.3

申请日：2012-03-27

Applicant: 东丽株式会社 ,  东丽薄膜先端加工股份有限公司

Inventor： 佐藤义和 ,  渡边修 ,  浅井伸树 ,  上冈武则

IPC: B32B27/16 ,  B32B7/02 ,  G06F3/041 ,  H01B5/14

CPC classification number: H05K1/02 ,  B32B7/12 ,  B32B27/12 ,  B32B27/302 ,  B32B27/308 ,  B32B27/36 ,  B32B2260/021 ,  B32B2260/046 ,  B32B2262/103 ,  B32B2262/106 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/584 ,  B32B2457/202 ,  B32B2457/206 ,  B32B2457/208 ,  C08J7/045 ,  C08J2433/00 ,  C08J2475/14 ,  G06F3/041 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/045

Abstract: 本发明涉及一种导电层合体，其为在基材的一个面上层合有交联层、在基材的另一个面上层合有导电层和保护层的导电层合体，其满足下述(i)～(iv)：(i)上述交联层由交联高分子形成，所述交联高分子包含：在结构内具有2个以上有助于聚合反应的碳-碳双键基团的化合物进行聚合反应而得到的结构，并且，作为来自所述碳-碳双键基团的结构的碳-碳双键基团的单元结构部分相对于所述交联层总质量的质量含有率为9～26质量％；(ii)上述交联层的厚度为50nm～1μm；(iii)上述导电层包含：具有由线状结构体形成的网结构的导电成分；(iv)上述保护层的平均厚度t为70nm～1μm。本发明提供一种导电层合体，其对于将导电层合体形成为触控面板等中使用的电极构件时的加工工序的热具有良好的耐久性。

公开(公告)号：CN103429427A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280014292.3

申请日：2012-03-27

Applicant: 东丽株式会社 ,  东丽薄膜先端加工股份有限公司

Inventor： 佐藤义和 ,  渡边修 ,  浅井伸树 ,  上冈武则

IPC: B32B27/16 ,  B32B7/02 ,  G06F3/041 ,  H01B5/14

CPC classification number: H05K1/02 ,  B32B7/12 ,  B32B27/12 ,  B32B27/302 ,  B32B27/308 ,  B32B27/36 ,  B32B2260/021 ,  B32B2260/046 ,  B32B2262/103 ,  B32B2262/106 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/584 ,  B32B2457/202 ,  B32B2457/206 ,  B32B2457/208 ,  C08J7/045 ,  C08J2433/00 ,  C08J2475/14 ,  G06F3/041 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/045

Abstract: 本发明涉及一种导电层合体，其为在基材的一个面上层合有交联层、在基材的另一个面上层合有导电层和保护层的导电层合体，其满足下述(i)～(iv)：(i)上述交联层由交联高分子形成，所述交联高分子包含：在结构内具有2个以上有助于聚合反应的碳-碳双键基团的化合物进行聚合反应而得到的结构，并且，作为来自所述碳-碳双键基团的结构的碳-碳双键基团的单元结构部分相对于所述交联层总质量的质量含有率为9～26质量％；(ii)上述交联层的厚度为50nm～1μm；(iii)上述导电层包含：具有由线状结构体形成的网结构的导电成分；(iv)上述保护层的平均厚度t为70nm～1μm。本发明提供一种导电层合体，其对于将导电层合体形成为触控面板等中使用的电极构件时的加工工序的热具有良好的耐久性。