公开(公告)号：CN102473564B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201080035612.4

申请日：2010-08-03

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 井上武治郎 ,  重田和树 ,  后藤一起 ,  朴善圭

IPC: B32B3/30 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/0455 ,  Y10T428/24479

Abstract: 本发明为了提供能够省略活化处理工序并且可在低电压下发射电子，而且与阴极基板的粘结性也优异的电子发射源用膏和使用了该膏的电子发射源，使用将含有下述(A)～(C)成分的电子发射源用膏进行热处理而制造的电子发射源，所述电子发射源具有龟裂且碳纳米管从龟裂面突出，(A)碳纳米管；(B)玻璃粉末；(C)选自金属盐、金属氢氧化物、有机金属化合物、金属络合物、硅烷偶合剂和钛偶合剂中的至少1种以上的物质。

公开(公告)号：CN102473564A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080035612.4

申请日：2010-08-03

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 井上武治郎 ,  重田和树 ,  后藤一起 ,  朴善圭

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/0455 ,  Y10T428/24479

Abstract: 本发明为了提供能够省略活化处理工序并且可在低电压下发射电子，而且与阴极基板的粘结性也优异的电子发射源用膏和使用了该膏的电子发射源，使用将含有下述(A)～(C)成分的电子发射源用膏进行热处理而制造的电子发射源，所述电子发射源具有龟裂且碳纳米管从龟裂面突出，(A)碳纳米管；(B)玻璃粉末；(C)选自金属盐、金属氢氧化物、有机金属化合物、金属络合物、硅烷偶合剂和钛偶合剂中的至少1种以上的物质。