公开(公告)号：CN105190901A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480014315.X

申请日：2014-03-11

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 村濑清一郎 ,  山本真衣子 ,  真多淳二 ,  清水浩二

IPC: H01L29/786 ,  C08G79/00 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01B3/46 ,  C08K5/05 ,  C08K5/56 ,  C08L83/04 ,  H01L29/786 ,  H01L51/052

Abstract: 一种场效应晶体管，具有栅极绝缘层、栅电极、半导体层、源电极及漏电极，其特征在于，上述栅极绝缘层包含含有硅-碳键的有机化合物、和含有金属原子-氧原子键的金属化合物，在上述栅极绝缘层中，相对于碳原子和硅原子的总量100重量份而言，上述金属原子的含量为10～180重量份。根据所述场效应晶体管，提供迁移率高、阈值电压低且漏电流被抑制的FET。

公开(公告)号：CN105190901B

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201480014315.X

申请日：2014-03-11

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 村濑清一郎 ,  山本真衣子 ,  真多淳二 ,  清水浩二

IPC: H01L29/786 ,  C08G79/00 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

Abstract: 一种场效应晶体管，具有栅极绝缘层、栅电极、半导体层、源电极及漏电极，其特征在于，上述栅极绝缘层包含含有硅‑碳键的有机化合物、和含有金属原子‑氧原子键的金属化合物，在上述栅极绝缘层中，相对于碳原子和硅原子的总量100重量份而言，上述金属原子的含量为10～180重量份。根据所述场效应晶体管，提供迁移率高、阈值电压低且漏电流被抑制的FET。