半导体传感器及其制造方法、以及复合传感器

    公开(公告)号:CN109844530A

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201780063515.8

    申请日:2017-10-13

    Abstract: 半导体传感器,其用于选择性且高灵敏度地检测靶标物质,所述半导体传感器具有基板、第1电极、第2电极、和设置于第1电极与第2电极之间的半导体层,半导体层包含半导体成分、和免疫球蛋白的部分结构体,免疫球蛋白的部分结构体在重链的铰链区介由连接基团L1而结合或附着于半导体成分。以及,半导体传感器的制造方法,其中,形成半导体层的工序包括在第1电极与第2电极之间涂布半导体成分的工序。

    化合物及含有其的电子装置、发光元件、光电转换元件及图像传感器

    公开(公告)号:CN107406432B

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201680017252.2

    申请日:2016-03-22

    Abstract: 本发明为一种具有咔唑骨架及喹唑啉骨架的化合物,且通过使用所述化合物,而提供一种可应用于发光效率、驱动电压、耐久寿命全部得到改善的有机薄膜发光元件或者具有高转换效率或高开‑关比的光电转换元件中的材料。另外,本发明为含有所述化合物的电子装置。此外,本发明为在相向的阳极与阴极之间存在有机层,且利用电能而发光,并且在所述有机层中含有所述化合物的发光元件。另外,本发明为所述有机层至少具有发光层及电子传输层,所述电子传输层含有所述化合物的发光元件。此外,本发明为含有所述化合物的光电转换元件及含有所述光电转换元件的图像传感器。

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