公开(公告)号：CN1796482A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510116191.9

申请日：2005-10-19

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 平光亚衣 ,  伊藤隆 ,  堀哲二

IPC: C09K3/14 ,  C09C1/68 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: 提供一种抛光组合物，其氮化硅层的材料去除速率高于氧化硅层的材料去除速率，对抛光平面化基本上没有不良作用，可以达到足够的氮化硅层去除速率，还提供了一种使用该组合物的抛光方法。一种抛光组合物，包含氧化硅磨粒、酸添加剂和水，当酸添加剂形成85重量％的水溶液时，在80℃的大气下，对氮化硅层的化学蚀刻速率最多为0.1纳米/小时。特别优选的组合物是其中氧化硅磨粒的平均粒径为1－50纳米，pH值为3.5－6.5的组合物。

公开(公告)号：CN1796482B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200510116191.9

申请日：2005-10-19

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 平光亚衣 ,  伊藤隆 ,  堀哲二

IPC: C09K3/14 ,  C09C1/68 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: 提供一种抛光组合物，其氮化硅层的材料去除速率高于氧化硅层的材料去除速率，对抛光平面化基本上没有不良作用，可以达到足够的氮化硅层去除速率，还提供了一种使用该组合物的抛光方法。一种抛光组合物，包含氧化硅磨粒、酸添加剂和水，当酸添加剂形成85重量％的水溶液时，在80℃的大气下，对氮化硅层的化学蚀刻速率最多为0.1纳米/小时。特别优选的组合物是其中氧化硅磨粒的平均粒径为1-50纳米，pH值为3.5-6.5的组合物。