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公开(公告)号：CN110061096B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201910303829.1
申请日：2017-01-24
Applicant: 上饶市晶科绿能科技发展有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/324 , H01L21/02
Abstract: 制造太阳能电池的方法。根据本发明的实施方式的制造太阳能电池的方法包括以下步骤：在半导体基板上形成氧化硅膜；以及将氧化硅膜连续地暴露于570℃至700℃的范围内的温度，以对氧化硅膜进行退火。
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