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公开(公告)号：CN113241110B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202110509484.2
申请日：2021-05-10
Applicant: 上海航天测控通信研究所
Abstract: 本发明提供了一种多通道NAND FLASH差错控制方法，包括：对输入数据按通道数N进行分组后进行交织；将N通道的数据按通道进行异或生成校验数据；将校验数据和N组通道数据形成N+1组通道数据分别进行并行加扰；将N+1组数据分别进行BCH并行编码，数据按FLASH的页长进行分块，编码后存储在存储阵列中，存储阵列由N+1颗FLASH存储芯片组成，与N+1组数据一一对应；读取存储阵列中N+1组数，分别进行并行BCH译码，并给出译码“是否成功”状态；将N+1组数据分别进行并行解扰；根据译码“是否成功”状态，对N+1组数据进行容错控制；将完成差错控制的数据进行解交织恢复。本发明从抑制、纠错、替换三个维度采取设计措施降低了NAND FLASH的误码率。
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公开(公告)号：CN113296820A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110682832.6
申请日：2021-06-18
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: G06F8/654
Abstract: 本申请提供了一种基于SRAM FPGA的星载抗单粒子效应加固方法，所述方法包括以下步骤：S1、目标FPGA端建立SEM核，并创建串/并转换模块和SEM状态监测模块，生成配置程序文件；S2、反熔丝FPGA通过RS422接口接收和存储配置程序，将配置程序同时存入三个具有相同映射地址的配置区中；S3、通过反熔丝FPGA对目标FPGA进行加载，包括：分别从三个不同的配置区读取相同的数据，并进行比对；S4、反熔丝FPGA对SEM核进行监控，对发生单粒子翻转的数据帧进行替换。
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公开(公告)号：CN113241110A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110509484.2
申请日：2021-05-10
Applicant: 上海航天测控通信研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于BCH及类RAID技术的多通道NAND FLASH差错控制方法，包括：对输入数据按通道数N进行分组后进行交织；将N通道的数据按通道进行异或生成校验数据；将校验数据和N组通道数据形成N+1组通道数据分别进行并行加扰；将N+1组数据分别进行BCH并行编码，数据按FLASH的页长进行分块，编码后存储在存储阵列中，存储阵列由N+1颗FLASH存储芯片组成，与N+1组数据一一对应；读取存储阵列中N+1组数，分别进行并行BCH译码，并给出译码“是否成功”状态；将N+1组数据分别进行并行解扰；根据译码“是否成功”状态，对N+1组数据进行容错控制；将完成差错控制的数据进行解交织恢复。本发明从抑制、纠错、替换三个维度采取设计措施降低了NAND FLASH的误码率。
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公开(公告)号：CN113296820B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202110682832.6
申请日：2021-06-18
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: G06F8/654
Abstract: 本申请提供了一种基于SRAM FPGA的星载抗单粒子效应加固方法，所述方法包括以下步骤：S1、目标FPGA端建立SEM核，并创建串/并转换模块和SEM状态监测模块，生成配置程序文件；S2、反熔丝FPGA通过RS422接口接收和存储配置程序，将配置程序同时存入三个具有相同映射地址的配置区中；S3、通过反熔丝FPGA对目标FPGA进行加载，包括：分别从三个不同的配置区读取相同的数据，并进行比对；S4、反熔丝FPGA对SEM核进行监控，对发生单粒子翻转的数据帧进行替换。
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