陷波装置及磁共振系统
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112230172A

    公开(公告)日:2021-01-15

    申请号:CN202010995351.6

    申请日:2020-09-21

    Abstract: 本申请涉及一种陷波装置及磁共振系统。陷波装置包括多条支路。多条支路用于并联连接于第一线缆的屏蔽层。每条支路上至少连接一个电容。至少一条支路连接有开关。开关用于控制开关所在的支路是否与屏蔽层电连接。陷波装置用于消除第一线缆的共模效应。屏蔽层相当于感性元件,与并联的多个电容起到谐振作用。通过调节开关的闭合状态,控制开关所在的支路与屏蔽层电连接状态。通过开关改变并联的支路数量,进而改变并联的电容的数量,进而改变了所述陷波装置的总电容值。陷波装置的总电容值不同,陷波装置的谐振频率不同,适用于不同振动频率的设备。因此,陷波装置的兼容性得到提高。

    磁共振线圈组件以及磁共振设备的控制方法

    公开(公告)号:CN113820638A

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202010565504.3

    申请日:2020-06-19

    Abstract: 本申请涉及一种磁共振线圈组件以及磁共振设备的控制方法,通过调节控制电路分别与线圈本体的第一连接端和第二连接端连接,可以实现对线圈本体的工作状态进行调控。从而,通过直流输入端输入的控制信号,调节线圈本体在谐振状态和失谐状态之间进行切换。此时,通过调节控制电路可以对磁共振信号进行调控,以输出射频信号。同时,将调控线圈本体所在的谐振回路的频率、失谐状态、阻抗等电子器件集成于印制电路板中。调节控制电路与线圈本体相互独立设置,线圈本体中无贴片式或分布式电容等电子器件,独立存在,减少了线圈本体前端电路面积,提高了磁共振射频线圈的柔性程度,缩小了电路体积和重量。

    磁共振线圈组件以及磁共振设备的控制方法

    公开(公告)号:CN113820638B

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202010565504.3

    申请日:2020-06-19

    Abstract: 本申请涉及一种磁共振线圈组件以及磁共振设备的控制方法,通过调节控制电路分别与线圈本体的第一连接端和第二连接端连接,可以实现对线圈本体的工作状态进行调控。从而,通过直流输入端输入的控制信号,调节线圈本体在谐振状态和失谐状态之间进行切换。此时,通过调节控制电路可以对磁共振信号进行调控,以输出射频信号。同时,将调控线圈本体所在的谐振回路的频率、失谐状态、阻抗等电子器件集成于印制电路板中。调节控制电路与线圈本体相互独立设置,线圈本体中无贴片式或分布式电容等电子器件,独立存在,减少了线圈本体前端电路面积,提高了磁共振射频线圈的柔性程度,缩小了电路体积和重量。

    陷波装置及磁共振系统
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112230172B

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202010995351.6

    申请日:2020-09-21

    Abstract: 本申请涉及一种陷波装置及磁共振系统。陷波装置包括多条支路。多条支路用于并联连接于第一线缆的屏蔽层。每条支路上至少连接一个电容。至少一条支路连接有开关。开关用于控制开关所在的支路是否与屏蔽层电连接。陷波装置用于消除第一线缆的共模效应。屏蔽层相当于感性元件,与并联的多个电容起到谐振作用。通过调节开关的闭合状态,控制开关所在的支路与屏蔽层电连接状态。通过开关改变并联的支路数量,进而改变并联的电容的数量,进而改变了所述陷波装置的总电容值。陷波装置的总电容值不同,陷波装置的谐振频率不同,适用于不同振动频率的设备。因此,陷波装置的兼容性得到提高。

    磁共振接收线圈及磁共振接收线圈组件

    公开(公告)号:CN110873854B

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN201810993177.4

    申请日:2018-08-29

    Inventor: 车韶 王振

    Abstract: 本发明涉及一种磁共振接收线圈及磁共振接收线圈组件,包括第一导体,沿设定方向弯曲以形成回路,且所述第一导体具有相对的第一端和第二端;一个或多个导体层,与所述第一导体并行设置,多个所述导体层分别沿所述第一导体的弯曲方向延伸,且能够与所述第一导体电气耦合。上述磁共振接收线圈及磁共振接收线圈组件采用两个导体形成传输线结构,并在两个导体上开设位置不同的开口以达到谐振状态,使传输线中的电流在两导体之间流动,增加了等效的传输线长度,在相同谐振频率下可以减少线圈的尺寸,降低了成本,使用更加方便,适应性更强。

    发射线圈组件、磁共振系统及控制方法

    公开(公告)号:CN115144800A

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202110341062.9

    申请日:2021-03-30

    Inventor: 车韶

    Abstract: 本申请涉及一种发射线圈组件、磁共振系统及控制方法。发射线圈组件包括本体、第一开关装置和第一失谐电路。所述第一开关装置连接于所述本体。当所述第一开关装置关断时,所述本体失谐,所述第一开关装置存在寄生电容。寄生电容导致发射线圈组件的信号泄漏。随频率的上升而发射线圈组件的信号泄漏量增大。在高频应用场景下,寄生电容会导致所述第一开关装置的截止特性迅速恶化。所述第一失谐电路并联连接于所述第一开关装置的两端。所述第一失谐电路用于抵消所述第一开关装置关断时产生的寄生电容,提高所述第一开关装置的截止特性,进而提高所述发射线圈组件的失谐隔离度。

    磁共振射频线圈和磁共振系统

    公开(公告)号:CN107561464B

    公开(公告)日:2020-12-04

    申请号:CN201710582369.1

    申请日:2017-07-17

    Inventor: 车韶

    Abstract: 本发明提供了一种磁共振射频线圈和磁共振系统,磁共振射频线圈包括:射频天线,用于接收成像对象发出的射频信号;所述射频天线为非谐振射频天线;信号处理模块,与所述射频天线连接,用于对所述射频天线接收到的射频信号进行信号处理;所述信号处理模块包括放大器,所述放大器用来对所述射频信号进行信号放大,所述放大器具有高输入阻抗;数字化模块,用于将经过处理的射频信号数字化,并将信号传输到后端;所述数字化模块的传输方式采用光纤传输或无线传输。本发明的技术方案能够使在不影响射频线圈敏感度的情况下,允许射频线圈发生一定形变,保持较好的图像质量。

    传输线缆和磁共振线圈组件

    公开(公告)号:CN213986790U

    公开(公告)日:2021-08-17

    申请号:CN202022643392.7

    申请日:2020-11-16

    Inventor: 车韶 陆海

    Abstract: 本实用新型涉及一种传输线缆和磁共振线圈组件。其中传输线缆包括柔性基底、至少一个信号导带和多个接地导带;信号导带位于柔性基底表面,且沿第一方向延伸;接地导带位于柔性基底表面,与信号导带同侧设置且沿第一方向延伸;其中,在第二方向上一个信号导带和与信号导带相邻的两个接地导带共同构成一个射频通道;第一方向与第二方向成设定角度。本实用新型实施例中,信号导带和接地导带构成共波面的线缆,可有效降低通道之间的干扰,降低传输线缆的尺寸;同时可通过选用具有较大的介电常数的柔性基底,以减小柔性基底的厚度,从而进一步减小传输线缆的尺寸,并且有利于增大传输线缆的可弯折性。

    电路组件及磁共振线圈结构

    公开(公告)号:CN212569099U

    公开(公告)日:2021-02-19

    申请号:CN202020792424.7

    申请日:2020-05-12

    Inventor: 车韶 李烨

    Abstract: 本实用新型提供一种电路组件及磁共振线圈结构。该电路组件适用于磁共振线圈结构,所述磁共振线圈结构包括一个或多个线圈单元,所述电路组件包括:外壳,设置在所述磁共振线圈结构上并形成腔体;电子部件,设置于所述腔体中;以及均热部件,对应所述电子部件设置,并位于与所述电子部件相对的所述外壳的内壁,所述均热部件用于吸收所述电子部件的热量。电子部件工作时产生的热量投射到均热部件,均热部件吸收热量后,可以使得热量在均热部件上均匀分布,避免外壳出现局部温度高的现象,这样,电路组件安装于磁共振线圈结构后,可以避免磁共振线圈结构出现局部温升点,进而避免烫伤患者,便于使用。

    一种磁共振设备
    10.
    实用新型

    公开(公告)号:CN212723295U

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:CN202021148513.4

    申请日:2020-06-19

    Abstract: 本申请涉及一种磁共振设备,用于磁共振成像扫描,包括磁共振线圈组件,磁共振线圈组件包括外壳体以及被外壳体包覆的多个线圈本体,线圈本体被弯折成一种或数种几何形状,并被固定于外壳体上或外壳体内部的基板上;线圈本体包括:柔性的绝缘支撑体,沿设定方向弯曲;柔性的电导体,与绝缘支撑体相结合,并沿与绝缘支撑体轴向一致的方向延伸,且电导体具有相对的第一连接端和第二连接端。通过将线圈本体的绝缘支撑体和电导体设置呈柔性,提高了磁共振射频线圈的柔性程度,缩小了电路体积和重量,并提高了抗弯折性能。

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