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公开(公告)号：CN111060796B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201911262362.7
申请日：2019-12-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天控制技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明实施例提供了一种用于光敏三级管空间位移效应检测方法，其特征在于，包括步骤：步骤1：将辐照电路单元送入位于质子加速器束流出口处；其中，辐照电路单元包括：光电转换单元、电压采集单元、偏置电路以及至少两个光敏三级管；步骤2：加工作电压对辐照电路单元进行辐照前通电测试，确保其能正常工作；步骤3：开始质子辐照试验，试验过程中通过路径选通切换单元实时记录采样电压；步骤4：改变试验条件，测试光敏三级管质子辐射下的测试数据。
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公开(公告)号：CN111060796A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911262362.7
申请日：2019-12-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天控制技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明实施例提供了一种用于光敏三级管空间位移效应检测方法，其特征在于，包括步骤：步骤1：将辐照电路单元送入位于质子加速器束流出口处；其中，辐照电路单元包括：光电转换单元、电压采集单元、偏置电路以及至少两个光敏三级管；步骤2：加工作电压对辐照电路单元进行辐照前通电测试，确保其能正常工作；步骤3：开始质子辐照试验，试验过程中通过路径选通切换单元实时记录采样电压；步骤4：改变试验条件，测试光敏三级管质子辐射下的测试数据。
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公开(公告)号：CN211653053U
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201922229370.3
申请日：2019-12-10
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天控制技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型实施例提供了一种用于光敏三极管空间位移效应检测装置，其特征在于，包括：主控计算机，所述主控计算机与远程控制计算机通讯，获取光敏三极管电压的实时采集信息并储存；以及用于光敏三极管的工作状态遥测显示；并根据所述光敏三极管的工作状态遥测显示进行光敏三极管位移辐射损伤的判别；远程控制计算机，所述远程控制计算接收所述主控计算机的指令，所述指令用于控制路径选通切换单元；所述路径选通切换电路板用于实现光敏三极管的在线重启加断电以及光敏三极管间的数据采集切换；辐照电路板，所述辐照单元位于辐照源中，用于实现光敏三极管供电、发光二极管与光敏三极管光电转换、光敏三极管输出电流采样；并将采样信息传输至所述远程控制计算机。
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公开(公告)号：CN111579956B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202010267509.8
申请日：2020-04-08
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及可调节表贴封装半导体器件夹具及测试方法，夹具包括第一PCB基板、第二PCB基板、可调节连接组件、底座、簧片、底座插针、插针和弹力带；第一PCB基板和第二PCB基板上均排布有微带线；第一PCB基板和所述第二PCB基板上各设置一底座；两底座上均设有簧片，簧片通过底座插针与微带线连接，微带线与插针连接；第一PCB基板通过所述可调节连接组件与第二PCB基板连接，调节可调节连接组件改变第一PCB基板与第二PCB基板之间的相对位置，从而改变两底座之间的相对位置；待测表贴封装半导体器件两侧的管脚分别与两底座上的簧片接触，并通过弹力带将待测表贴封装半导体器件绑定在两底座上，使管脚与簧片紧压。
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公开(公告)号：CN109580305B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201811509557.2
申请日：2018-12-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC: G01N1/28
Abstract: 一种横向元器件制样研磨的方法，该方法步骤如下：步骤一、根据元器件的高度首先确定样品高度，并在制样前于模具内侧标记第一高度，以及第二高度，确保元器件位于样品高度上的中心；步骤二、按要求配置环氧树脂，并将环氧树脂加至模具内的第一高度处；步骤三、待环氧树脂固化后，将元器件横向置于其表面的正中心处；步骤四、再次将环氧树脂加至第二高度，此时元器件位于样品高度上的中心；步骤五、固化后完成制样，新方法与传统制样方法相比，样品体积会有效减小；步骤六、粗磨；步骤七、精磨：使用细砂纸进行精磨，直至形貌达到最佳观测效果；步骤八、抛光：用抛光液及相匹配的抛光布抛光，直至形貌达到最佳观测效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111579956A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010267509.8
申请日：2020-04-08
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及可调节表贴封装半导体器件夹具及测试方法，夹具包括第一PCB基板、第二PCB基板、可调节连接组件、底座、簧片、底座插针、插针和弹力带；第一PCB基板和第二PCB基板上均排布有微带线；第一PCB基板和所述第二PCB基板上各设置一底座；两底座上均设有簧片，簧片通过底座插针与微带线连接，微带线与插针连接；第一PCB基板通过所述可调节连接组件与第二PCB基板连接，调节可调节连接组件改变第一PCB基板与第二PCB基板之间的相对位置，从而改变两底座之间的相对位置；待测表贴封装半导体器件两侧的管脚分别与两底座上的簧片接触，并通过弹力带将待测表贴封装半导体器件绑定在两底座上，使管脚与簧片紧压。
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公开(公告)号：CN111337779A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010220887.0
申请日：2020-03-26
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明的元器件在轨飞行评价验证方法包括：1)确定被验证元器件在轨飞行评价验证阶段的工作状态；2)确定被验证元器件在轨飞行评价验证所需测试的功能及参数；3)研制开发在轨测试系统；4)对在轨测试系统进行地面标定试验；5)组装被验证元器件与在轨测试系统，并随航天器一起发射入轨；在轨期间，被验证元器件按步骤1)确定的工作状态运行，在轨测试系统在太空中对被验证元器件的功能及参数进行测试，该功能及参数即是步骤2)确定的所需测试和监测的功能及参数；6)在轨测试数据下传；7)开展被验证元器件在轨测试数据的分析和判读。
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公开(公告)号：CN108226748B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201711268879.8
申请日：2017-12-05
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于SoC片上系统的单粒子效应测试方法，本发明包括对SoC处理器内部CPU单元、存储器单元、用户定义逻辑单元以及AD和DA、串行接口电路等外设单元单粒子效应的测试，可以对SoC处理器内部不同结构单元的单粒子效应进行有效测试，实现对SoC处理器单粒子效应的全面、合理评估。
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公开(公告)号：CN108267298A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201711223104.9
申请日：2017-11-29
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC: G01M11/02
CPC classification number: G01M11/00
Abstract: 本发明提供了一种CMOS图像传感器光谱响应空间辐射损伤的测试设备及其方法：利用溴钨灯等卤素灯光源发出光，经过积分球无数次反射后输出均匀光，均匀光通过滤波轮上不同的滤光片变成不同波长的单色光，调整放置在三维样品调整台上的待测CMOS图像传感器，使不同波长的单色光照射在光敏面上，根据所采集的图像信息得出CMOS图像传感器的光谱响应，再将CMOS图像传感器受高能粒子辐照后，再进行一次测试，得到器件的光谱响应辐射损伤。本发明能够对CMOS图像传感器光谱响应的辐射损伤进行定量的分析评价，为星用CMOS图像传感器的选型、抗辐射加固设计以及器件受辐照后光响应性能退化的机理研究提供检测手段。
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公开(公告)号：CN114414971B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111530294.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法，包括第一步，选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为A组、B组，第二步，对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验；第三步，对A组CMOS图像传感器进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，计算出位移损伤剂量；第五步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量Fni；第六步，对B组的CMOS图像传感器进行反应堆中子辐照试验；第七步，计算空间质子电离损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第八步，拟合△μi‑Fpi的变化曲线。本发明消除位移损伤的影响、定量评价质子电离损伤，精准预判器件在轨性能退化趋势，提前做好防护措施，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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