-
公开(公告)号：CN118131020A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410398464.6
申请日：2024-04-03
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种预测BGA塑封器件焊球温度循环寿命的方法，包括：选取通过车规级AEC认证的BGA塑封器件，获得温度循环失效器件序数和失效周期；定位BGA焊球失效区域，结合X射线和剖面研磨确定其失效模式；计算特定次数温度循环试验条件下发生失效的器件数量；给出通过车规级AEC认证的BGA塑封器件温度循环本征寿命区间[Bmin，Bmax]；计算通过车规级AEC认证的BGA塑封器件温度循环本征平均寿命区间[Pmin，Pmax]；比较后给出未经AEC认证试验器件是否能满足AEC温度循环试验可靠性的结论。本发明解决了传统方法无法基于有限的实验数据准确预测特定置信度下BGA塑封器件温度循环寿命的问题。
-
公开(公告)号：CN117113894A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311049359.3
申请日：2023-08-18
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G06F30/3308 , G06F30/337 , G06F30/398
Abstract: 本发明的一种电路结构的单粒子效应数值仿真方法，能够在不开展地面辐照试验的情况下，通过数值仿真得到电路结构中的单粒子效应响应情况。该方法主要利用计算机辅助仿真工具对电路结构进行结构和物理建模，并辅助以半导体测试方法提取真实电路结构的电学参数信息，完成对实际物理过程的仿真。首先测量集成电阻的物理尺寸，根据实际尺寸对集成电阻进行结构建模；接着为模型添加物理过程，使数值仿真根据物理模型求解；然后测量集成电阻电阻的实际电阻值，根据实际电阻值为建立的模型进行校准。最后优化模型的数值仿真求解过程，提高数值仿真的精度和速度，不需要对电阻器开展价格昂贵的辐照试验，避免了试验过程中的试验误差，成本低、操作简单。
-
公开(公告)号：CN118393245A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410348251.2
申请日：2024-03-26
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明公开了一种光电探测器光、热、电综合应力下寿命考核试验装置，包括：光源、拆换法兰盘、导光筒、高温试验箱、隔热玻璃、滑轨、遮光板、测试子板、子母板连接线、测试母板、操作台、电控柜、环境控制装置、氮气瓶，高温试验箱内部底座上安装滑轨，测试子板与滑轨相连接，遮光板能实现测试过程中高温试验箱光场的均匀、可控，隔热玻璃密封安装在高温试验箱左侧，导光筒通过拆换法兰盘安装光源。本发明解决了高温试验条件下，温度导致的光源性能漂移，以及传统测试装置难以实现对光电探测器件试验过程中实际受到的光源辐照量进行标定和控制的问题，创新性设计了能为光电探测器实现光、热、电综合应力试验环境的装置。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118209149A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410373385.X
申请日：2024-03-29
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01D18/00
Abstract: 本发明公开了批量化光电探测器宽温域下参数原位测试装置及试验方法，测试装置包括：光源、拆换法兰盘、滤波轮、隔热玻璃、高低温试验箱、测试板、三维运动模组、Y轴伺服电机、环境控制装置、X轴伺服电机、操作台。三维运动模组安装在高低温试验箱内部底座上，X轴伺服电机和Y轴伺服电机组分别与三维运动模组连接，测试板安装在三维运动模组的平台上。本发明通过创新性试验装置的设计，实现了宽温域试验条件下的原位测试，解决了传统光电探测器在进行宽温域变化的试验项目时，需要在多台设备间转移的问题；同时实现了测试板对待测光电器件一对多的控制，降低了试验成本，并通过试验方法设计，保证了对光电探测器批量化试验中测试条件的一致性。
-
公开(公告)号：CN117894818A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311763529.4
申请日：2023-12-21
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: H01L29/06 , G06F30/20 , H01L29/78 , H01L21/336 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种基于SIC‑VDMOSFET器件的单粒子烧毁加固结构及其制备方法，通过识别出器件中SEB的敏感区域，针对该位置在N型漂移区结构中合理设置二氧化硅阻挡区，在牺牲少量电特性的前提下，通过阻止出现需要同时承受高电应力与热应力的超高瞬时体积功率区域，提高SEB敏感区域的抗单粒子烧毁能力，进而提高器件整体的抗单粒子烧毁能力。本发明聚焦于电场峰值以及碰撞电离过程，绕开了当前SiC器件的单粒子烧毁机制不明的问题，并具有加固方案相对简单，方案实施更为明确，加固效果受流片工艺线的限制相对较小的特点。
-
公开(公告)号：CN117723921A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311508010.1
申请日：2023-11-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明的基于栅源电压表征SiC MOSFET功率器件结温和热阻的方法，其步骤包括：设计SiC MOSFET器件瞬态热阻测试电路，使漏极电流Id和漏源电压Vds维持恒定值。通过恒温油槽使SiC MOSFET器件升温，在热稳态下校准其栅源电压Vgs和结温Tj关系曲线。通过恒定的漏电流Id和漏源电压Vds使SiC MOSFET器件升温，实时监测栅源电压Vgs曲线，结合栅源电压Vgs‑结温Tj关系公式，反推结温Tj曲线。对SiC MOSFET器件结温曲线Tj进行变换，得到瞬态热阻曲线Zth(t)。对SiC MOSFET器件瞬态热阻曲线Zth(t)进行变换，得到微分结构函数曲线，提取各封装结构单元热阻参数。针对SiC基和Si基器件的差异，本发明设计了适用电路，构建了栅源电压Vgs和结温Tj的对应关系，解决了无法通过寄生二极管电压降实时监测SiC MOSFET器件结温的不足。
-
公开(公告)号：CN117176156A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311048405.8
申请日：2023-08-18
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: H03M1/10
Abstract: 一种数模模数转换器单粒子瞬态效应测试装置及其方法，所述装置主要由程控电源、信号发生器、示波器、测试电路板、电流表组成、待测器件DUT和可编程门阵列FPGA模块组成。待测器件DUT焊接在测试电路板上，程控电源为测试电路板和待测器件提供正常工作需要的电流。程控电源的正极通过电线连接电流表输入端口，经过电流表的输出端口连接至电路板，以此来观察器件工作电流的变化情况。信号发生器通过同轴电缆连接测试电路板的SMA接口，为待测器件提供输入信号，输入信号为方波或者正弦波。待测器件的输出信号通过测试电路板的SMA接口利用同轴电缆连接到示波器，来显示输出的数字或模拟信号。FPGA模块同样焊接在测试电路板上，通过电路板上的金属布线与待测器件连接。
-
公开(公告)号：CN221959548U
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202420643610.2
申请日：2024-03-29
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01D18/00
Abstract: 本实用新型公开了批量化光电探测器宽温域下参数原位测试装置及试验方法，测试装置包括：光源、拆换法兰盘、滤波轮、隔热玻璃、高低温试验箱、测试板、三维运动模组、Y轴伺服电机、环境控制装置、X轴伺服电机、操作台。三维运动模组安装在高低温试验箱内部底座上，X轴伺服电机和Y轴伺服电机组分别与三维运动模组连接，测试板安装在三维运动模组的平台上。本实用新型通过创新性试验装置的设计，实现了宽温域试验条件下的原位测试，解决了传统光电探测器在进行宽温域变化的试验项目时，需要在多台设备间转移的问题；同时实现了测试板对待测光电器件一对多的控制，降低了试验成本。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.022 seconds)
