公开(公告)号：CN111048602B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201911204397.5

申请日：2019-11-29

Applicant: 上海空间电源研究所

Inventor： 石梦奇 ,  姜德鹏 ,  毕林杰 ,  陈开建 ,  贺虎 ,  张闻 ,  张帆 ,  张里盛

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种基于内连技术的激光充电高效太阳电池及其制备方法，本发明所提供的基于内连技术的激光充电高效太阳电池设计其制备方法包括：该激光充电高效太阳电池的半导体材料结构从下到上依次为Ge衬底，缓冲层I型GaAs层，p型GaInP选择性层2，p+++GaAs帽子层，p型GaInP选择性层1，反转隧穿结，N背场、基区、发射区、窗口层和p++GaAs帽子层。正电极、背电极、内连金线、减反射膜。该激光充电高效太阳电池是由数个子电池平面串联在砷化镓衬底上，满足激光充电电池高电压的需求。

公开(公告)号：CN111048602A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201911204397.5

申请日：2019-11-29

Applicant: 上海空间电源研究所

Inventor： 石梦奇 ,  姜德鹏 ,  毕林杰 ,  陈开建 ,  贺虎 ,  张闻 ,  张帆 ,  张里盛

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种基于内连技术的激光充电高效太阳电池及其制备方法，本发明所提供的基于内连技术的激光充电高效太阳电池设计其制备方法包括：该激光充电高效太阳电池的半导体材料结构从下到上依次为Ge衬底，缓冲层I型GaAs层，p型GaInP选择性层2，p+++GaAs帽子层，p型GaInP选择性层1，反转隧穿结，N背场、基区、发射区、窗口层和p++GaAs帽子层。正电极、背电极、内连金线、减反射膜。该激光充电高效太阳电池是由数个子电池平面串联在砷化镓衬底上，满足激光充电电池高电压的需求。