公开(公告)号：CN109037373A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810811994.3

申请日：2018-07-23

Applicant: 上海电机学院

Inventor： 鲁书瀚 ,  陈平 ,  张栋栋

IPC: H01L31/032

Abstract: 本发明公开了一种MgIn2S4基中间带太阳能吸收材料及其制备方法，化学式为MgIn2‑xSnxS4，0＜x＜2，采用真空固相反应烧结工艺，通过在母体化合物MgIn2S4的In位掺杂元素Sn形成半满中间带而得；相比于传统太阳能电池材料，上述材料增加了电子吸光路径，增强了光吸收能力。

公开(公告)号：CN108336168A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810054137.3

申请日：2018-01-19

Applicant: 上海电机学院

Inventor： 鲁书瀚 ,  陈平 ,  丁成林 ,  沈家兰

IPC: H01L31/032

Abstract: 本发明属于半导体材料科学技术领域，尤其涉及到一种以NaInS2半导体为受主，在其带隙中构建中间能带的方法。本发明利用特殊过渡金属元素取代掺杂NaInS2的In位，过渡金属的d电子态与S的3p杂化成键，能够在受主带隙中引入孤立的半满中间带，使电子存在三种跃迁路径VB→IB、IB→CB、VB→CB，从而对可见光吸收增强。