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公开(公告)号:CN112226659B
公开(公告)日:2022-07-05
申请号:CN202011183058.6
申请日:2020-10-29
Applicant: 上海电力大学
Abstract: 本发明涉及一种近室温磁制冷锰锗基制冷材料及其制备方法,具体制备过程为:(1)按照Mn5Ge3‑xTix(其中,x为0.5‑1)的计量比称取锰粉、锗粉和钛粉,在惰性气体保护下,加热熔融混合,得到均质化样品;(2)取出均质化样品冷却,再退火处理,即得到目的产物。与现有技术相比,本发明制备的锰锗基制冷材料具有极小的磁滞损耗,较大的磁热效应和可调温宽,同时相变性质为二级,在近室温(265K~290K)连续可调,符合近室温磁制冷技术的需求。
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公开(公告)号:CN112226659A
公开(公告)日:2021-01-15
申请号:CN202011183058.6
申请日:2020-10-29
Applicant: 上海电力大学
Abstract: 本发明涉及一种近室温磁制冷锰锗基制冷材料及其制备方法,具体制备过程为:(1)按照Mn5Ge3‑xTix(其中,x为0.5‑1)的计量比称取锰粉、锗粉和钛粉,在惰性气体保护下,加热熔融混合,得到均质化样品;(2)取出均质化样品冷却,再退火处理,即得到目的产物。与现有技术相比,本发明制备的锰锗基制冷材料具有极小的磁滞损耗,较大的磁热效应和可调温宽,同时相变性质为二级,在近室温(265K~290K)连续可调,符合近室温磁制冷技术的需求。
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