一种无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的缓冲层的制备方法

    公开(公告)号:CN103866232B

    公开(公告)日:2016-04-27

    申请号:CN201410080085.9

    申请日:2014-03-06

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开一种无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的缓冲层的制备方法,所述无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池自下而上依次为基体层、Mo层、铜铟镓硒层、i-ZnO层和n-ZnO层,其中i-ZnO层为缓冲层。所述缓冲层i-ZnO层采用射频磁控溅射方法制备,过程控制溅射室本底真空度5.0×10-4Pa,射频溅射功率200W,溅射氩气流量32sccm,基底温度25-350℃,溅射气压0.2-1.5Pa,得到的缓冲层i-ZnO层具有很好的ZnO(002)面c轴择优取向,晶粒尺寸均匀,与基底结合致密,可见光平均透过率可达86.9%;禁带宽度为3.225-3.25eV。具有制备过程简单,生产成本低,适于工业化生产。

    一种无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的缓冲层的制备方法

    公开(公告)号:CN103866232A

    公开(公告)日:2014-06-18

    申请号:CN201410080085.9

    申请日:2014-03-06

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开一种无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的缓冲层的制备方法,所述无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池自下而上依次为基体层、Mo层、铜铟镓硒层、i-ZnO层和n-ZnO层,其中i-ZnO层为缓冲层。所述缓冲层i-ZnO层采用射频磁控溅射方法制备,过程控制溅射室本底真空度5.0×10-4Pa,射频溅射功率200W,溅射氩气流量32sccm,基底温度25-350℃,溅射气压0.2-1.5Pa,得到的缓冲层i-ZnO层具有很好的ZnO(002)面c轴择优取向,晶粒尺寸均匀,与基底结合致密,可见光平均透过率可达86.9%;禁带宽度为3.225-3.25eV。具有制备过程简单,生产成本低,适于工业化生产。

    一种便携式板栗快速切口器

    公开(公告)号:CN203328570U

    公开(公告)日:2013-12-11

    申请号:CN201320315052.9

    申请日:2013-06-03

    Abstract: 本实用新型公开了一种便携式板栗快速切口器,尤其是一种固定在桌子上,用于切割板栗的便携式板栗快速切口器,包括:漏斗、分拣部、切割部、收集盒以及支撑固定部,漏斗用于将板栗传送给分拣部,分拣部含有转轮和与转轮相连接的手摇柄,转轮含有复数个叶片,手摇柄驱动叶片对板栗进行分拣,得到分拣后板栗,切割部具有一对相对设置的中间有空隙的浮动刀片,当分拣后板栗进入空隙时,浮动刀片对分拣后板栗进行切割,得到切割后板栗,收集盒用于收集切割后板栗,支撑固定部用于固定漏斗、分拣部、切割部以及收集盒。

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