公开(公告)号：CN109825816A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201910163290.4

申请日：2019-03-05

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 王丁 ,  于鑫 ,  王宇裘 ,  赖云 ,  王现英 ,  杨俊和

IPC: C23C16/30 ,  C23C14/30 ,  C23C14/14 ,  G01N27/00

Abstract: 本发明公开了一种二硫化钼薄膜气敏材料及其制备方法和应用。该气敏材料采用CVD法获得的MoS2薄膜材料。首先，利用电子束蒸镀以0.1A/s的沉积速率在SiO2/Si基片上预镀一定厚度的钼原子层；然后，一定温度下通过CVD法与S蒸汽发生化合反应生成MoS2薄膜气敏材料。将获得的表面生长着MoS2纳米片的基片两端分别镀上金电极；再使用导电银胶将导线和金电极粘连，最后使用绝缘AB胶进行固定以增加气敏测试器件的强度，对测试器件进行老化和封装，从而得到NO2气敏元件的制备。本发明所制得的气敏元件可实现室温对NO2气体的检测，能耗低，且对干扰气体选择性好，对NO2气体进行实时监控方面具有重要意。