公开(公告)号：CN102709399B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201210206656.X

申请日：2012-06-21

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 门传玲 ,  曹军 ,  邓闯 ,  朱德明 ,  曹敏 ,  张华

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种纳米天线太阳能电池的制作方法。先用乙醇或丙酮有机溶剂与纳米硅粉按质量体积比纳米硅(g)：有机溶剂(ml)1:200比例配置悬浊液，采用旋涂法把浊液旋涂到金属衬底上进行衬底修饰；在800～1000℃温度，40～100Pa标准压强条件下在修饰衬底上一步生成硅-石墨烯-碳纳米管复合结构，形成太阳电池器件片；采用旋涂工艺或溅射或蒸发，在碳纳米管之间生成硅橡胶或碳化硅、氧化铝钝化层；然后运用电子束蒸发法、磁控溅射等方法在器件片上层沉积透明导电薄膜，最后以金属衬底和透明导电薄膜为电极得到高效纳米天线太阳能电池。本发明采用一步法直接生成纳米太阳能电池主体结构，制作方法简单、高效，节约原料与成本，适合大规模生产。

公开(公告)号：CN102709399A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210206656.X

申请日：2012-06-21

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 门传玲 ,  曹军 ,  邓闯 ,  朱德明 ,  曹敏 ,  张华

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种高效纳米天线太阳能电池的制作方法。先用乙醇或丙酮有机溶剂与纳米硅粉按质量体积比纳米硅（g）：有机溶剂（ml）1:200比例配置悬浊液，采用旋涂法把浊液旋涂到金属衬底上进行衬底修饰；在800～1000℃温度，40～100Pa标准压强条件下在修饰衬底上一步生成硅-石墨烯-碳纳米管复合结构，形成太阳电池器件片；采用旋涂工艺或溅射或蒸发，在碳纳米管之间生成硅橡胶或碳化硅、氧化铝钝化层；然后运用电子束蒸发法、磁控溅射等方法在器件片上层沉积透明导电薄膜，最后以金属衬底和透明导电薄膜为电极得到高效纳米天线太阳能电池。本发明采用一步法直接生成纳米太阳能电池主体结构，制作方法简单、高效，节约原料与成本，适合大规模生产。

公开(公告)号：CN102703860A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210206615.0

申请日：2012-06-21

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 门传玲 ,  曹敏 ,  朱德明 ,  曹军 ,  邓闯 ,  张华

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/30 ,  C23C14/58 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种用于太阳能电池缓冲层CdS薄膜的制备方法，在真空条件下，将CdS粉末通电加热后采用升华的方式蒸发沉积到衬底上形成CdS薄膜，具体步骤为：选择玻璃、不锈钢金属箔或硅片作为衬底，将其放入50～100℃含有表面活性剂的水溶液中处理2h后，再放入丙酮中超声5～20min，用去离子水中超声10～30min，氮气吹干；将纯度为99.99％的CdS粉末放入蒸发舟或坩埚内并固定于电子束热蒸发设备上，将反应室抽真空至10-3Pa以下，样品衬底温度为20～200℃；控制电流在20～30A之间；蒸发时间为5～15min；在100～400℃温度下和氮气或氦气保护气氛下退火处理1～120min，得到CdS薄膜。本发明具有工艺简单、耗费低、且薄膜更加致密、光滑均匀等优点，拥有更佳的光电性能，适合大规模生产。