公开(公告)号：CN102134737A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201110108203.9

申请日：2011-04-28

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 朱亦鸣 ,  秦汉 ,  曹剑炜 ,  张冬生 ,  张璇峰 ,  林鹏飞 ,  陈宏彦 ,  张益彬 ,  彭滟 ,  陈麟 ,  倪争技

IPC: C25F3/14 ,  C25F7/00

Abstract: 一种多孔硅的制备方法，首先把硅片装配在电解槽中，再把电解液加入电解槽内，并把金属铂插入电解液中做阴极，其特点是：将电解槽置于超声波发生器中，其中超声波发生器内的导电液体作为阳极；用脉冲电流源连接阳极和阴极，打开脉冲电流源和超声波发生器，进行电化学腐蚀反应，即得多孔硅片。当电解槽放入超声波发生器内，所述硅片的裸露面浸没在超声波发生器内的导电液体里。超声波发生器内的导电液体为水或氯化钠溶液。本发明通过将电解槽置于有水的超声波发生器中，不仅可以让水把超声波能量传递到硅片上，主动加快氢气和反应生成堆积物的扩散，还可以让水作为反应阳极，让硅片的反应部分的电场更加均匀，使硅孔分布均匀，界面平整，大大提高了腐蚀效率。