公开(公告)号：CN107728343A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201711033283.X

申请日：2017-10-30

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 刘志佳 ,  彭滟 ,  朱亦鸣 ,  孙召召 ,  寇天一 ,  肖海成 ,  唐心雨 ,  刘可盈 ,  庄松林

IPC: G02F1/015

Abstract: 本发明涉及一种基于二维电子浓度调制的太赫兹近场辐射增强装置，从激光光源输出的飞秒激光经由分束片分为两束。分束片反射光束作为泵浦光，聚焦到光电导天线上产生太赫兹波，太赫兹波再入射到分光栅场效应晶体上，分光栅场效应晶体光栅层上栅极和半导体层外加偏置电压，金属栅极下方半导体层中由电子浓度差形成缺陷腔，通过缺陷腔的太赫兹近场辐射将会增强。分束片透射光聚焦后，作为太赫兹波探测光打到分光栅场效应晶体管另一侧电介质基片上，探测经过近场辐射增强的太赫兹波。本发明只需通过改变偏置电压调节浓度差就能使得太赫兹近场辐射强度增强，装置容易搭建，操作简便，适用于太赫兹成像技术等与太赫兹近场辐射强度相关的前沿科技的发展。

公开(公告)号：CN107728343B

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201711033283.X

申请日：2017-10-30

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 刘志佳 ,  彭滟 ,  朱亦鸣 ,  孙召召 ,  寇天一 ,  肖海成 ,  唐心雨 ,  刘可盈 ,  庄松林

IPC: G02F1/015

Abstract: 本发明涉及一种基于二维电子浓度调制的太赫兹近场辐射增强装置，从激光光源输出的飞秒激光经由分束片分为两束。分束片反射光束作为泵浦光，聚焦到光电导天线上产生太赫兹波，太赫兹波再入射到分光栅场效应晶体上，分光栅场效应晶体光栅层上栅极和半导体层外加偏置电压，金属栅极下方半导体层中由电子浓度差形成缺陷腔，通过缺陷腔的太赫兹近场辐射将会增强。分束片透射光聚焦后，作为太赫兹波探测光打到分光栅场效应晶体管另一侧电介质基片上，探测经过近场辐射增强的太赫兹波。本发明只需通过改变偏置电压调节浓度差就能使得太赫兹近场辐射强度增强，装置容易搭建，操作简便，适用于太赫兹成像技术等与太赫兹近场辐射强度相关的前沿科技的发展。

公开(公告)号：CN108645811A

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201810349626.1

申请日：2018-04-18

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 彭滟 ,  朱亦鸣 ,  寇天一 ,  孙召召 ,  肖海成 ,  施辰君 ,  汪丽平 ,  庄松林

IPC: G01N21/3586 ,  G01N21/01

Abstract: 本发明提供了一种采用太赫兹技术检测中草药三七的方法，将三七样品在粉碎机中粉碎；然后与聚乙烯粉末按特定比例（1:4~1:6）搅拌混合均匀；将三七样品的混合粉末在压片机中压制；开启太赫兹仪，保存峰位，测量背景单通道，收集无样品时背景的时域图；然后获取三七样品的混合粉末的时域图，通过傅里叶变换将上述时域图转化为频域图；最后，将三七样品的频域图与背景频域图经过光学公式换算，得到三七样品的吸收光谱；将三七样品吸收峰的位置与标准品的吸收峰位置做比对，即可判定三七真伪；通过光谱吸收峰的曲线下面积积分来对三七关键成份的含量进行定量分析。本发明解决了当前无法定量、批量检测三七的技术问题。