公开(公告)号：CN101789466B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201010108136.6

申请日：2010-02-10

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 门传玲 ,  安正华

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池制作方法，采用离子注入方法在硅片中形成一注入层，然后将此硅片作为器件片；通过薄膜沉积，电镀，磁控溅射等方法在玻璃、塑料、陶瓷、不锈钢等衬底上生长SiO2或SiC、Al2O3、Si3N4中的一种或两种薄膜作为介质层和隔离层，然后沉积Al膜后和器件片键合在一起，再通过退火实现硅层转移，根据转移过来的硅层表面粗燥度程度决定是否进行腐蚀和抛光，最后形成薄层硅材料。通过掺硼、磷等在薄层硅上制作p-n结，通过丝网印刷、光刻、电子束蒸发、电子镀等制作电极，最后得到太阳能电池。该方法既有晶体硅太阳能电池的高效率、高稳定的优势，又发挥了薄层材料节约硅用量的特点，减少工艺步骤，降低成本。

公开(公告)号：CN101789466A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010108136.6

申请日：2010-02-10

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 门传玲 ,  安正华

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池制作方法，采用离子注入方法在硅片中形成一注入层，然后将此硅片作为器件片；通过薄膜沉积，电镀，磁控溅射等方法在玻璃、塑料、陶瓷、不锈钢等衬底上生长SiO2或SiC、Al2O3、Si3N4中的一种或两种薄膜作为介质层和隔离层，然后沉积Al膜后和器件片键合在一起，再通过退火实现硅层转移，根据转移过来的硅层表面粗燥度程度决定是否进行腐蚀和抛光，最后形成薄层硅材料。通过掺硼、磷等在薄层硅上制作p-n结，通过丝网印刷、光刻、电子束蒸发、电子镀等制作电极，最后得到太阳能电池。该方法既有晶体硅太阳能电池的高效率、高稳定的优势，又发挥了薄层材料节约硅用量的特点，减少工艺步骤，降低成本。

公开(公告)号：CN102104087B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201010588913.1

申请日：2010-12-15

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 门传玲 ,  田子傲 ,  安正华 ,  杨斌 ,  李红琴

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种柔性薄膜太阳能电池制备方法，在传统的薄膜太阳能电池制作基础上，其中关键技术就是在硬性衬底和薄膜太阳能电池之间生长牺牲层。利用共蒸发、溅射或化学技术在硬性衬底上形成一层牺牲层。通过剥离处理牺牲层使得薄膜太阳能电池从硬性衬底上转移到柔性衬底上。具有高效率、高稳定的优势，又发挥了柔性衬底节约材料容易加工的特点，减少工艺步骤，降低成本，适合大规模生产。

公开(公告)号：CN102104087A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010588913.1

申请日：2010-12-15

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 门传玲 ,  田子傲 ,  安正华 ,  杨斌 ,  李红琴

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种柔性薄膜太阳能电池制备方法，在传统的薄膜太阳能电池制作基础上，其中关键技术就是在硬性衬底和薄膜太阳能电池之间生长牺牲层。利用共蒸发、溅射或化学技术在硬性衬底上形成一层牺牲层。通过剥离处理牺牲层使得薄膜太阳能电池从硬性衬底上转移到柔性衬底上。具有高效率、高稳定的优势，又发挥了柔性衬底节约材料容易加工的特点，减少工艺步骤，降低成本，适合大规模生产。