公开(公告)号：CN101830448A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010169355.5

申请日：2010-05-07

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 刘新宽 ,  周敬恩 ,  刘平 ,  马明亮 ,  席生岐

IPC: C01B21/072

Abstract: 本发明公开了一种低温制备纳米氮化铝粉末的方法，包括以下步骤：步骤1：清洗，是先取氧化铝进行球磨，使得在球磨过程中，氧化铝在磨球以及球磨罐壁上包覆上一层；步骤2：球磨，将称量的氧化铝粉末放入清洗过的球磨机中，按照球料比15～30∶1的比例，在氩气保护下，球磨30分钟～2小时，球磨机转速为500-700rpm；步骤3：合成。本发明是一种改进的机械力活化低温碳热还原合成超细氮化铝粉末的方法，简化生产工艺，提高粉末质量。

公开(公告)号：CN101830448B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201010169355.5

申请日：2010-05-07

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 刘新宽 ,  周敬恩 ,  刘平 ,  马明亮 ,  席生岐

IPC: C01B21/072

Abstract: 本发明公开了一种低温制备纳米氮化铝粉末的方法，包括以下步骤：步骤1：清洗，是先取氧化铝进行球磨，使得在球磨过程中，氧化铝在磨球以及球磨罐壁上包覆上一层；步骤2：球磨，将称量的氧化铝粉末放入清洗过的球磨机中，按照球料比15～30∶1的比例，在氩气保护下，球磨30分钟～2小时，球磨机转速为500-700rpm；步骤3：合成。本发明是一种改进的机械力活化低温碳热还原合成超细氮化铝粉末的方法，简化生产工艺，提高粉末质量。

公开(公告)号：CN102351222A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110193372.7

申请日：2011-07-12

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 刘新宽 ,  刘平 ,  周敬恩 ,  马明亮

IPC: C01F7/00 ,  C04B35/58 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开了一种低温碳热还原制备氧氮化铝粉末的方法。即将质量比1:1的氧化铝与活性炭混合，放入高能球磨机的球磨罐中，在600～900℃进行球磨，球料质量比15～30:1，填充比1:2～8，球磨时间2-8h，球磨过程通入氮气，控制气流量为30ml-1L/min，最后在空气中去除多余的碳，即得氧氮化铝粉末。本发明的低温碳热还原制备氧氮化铝粉末的方法，通过短时间的高能球磨，使得氧氮化铝的合成温度降低，从而简化了生产设备的要求，也相对缩短了氧氮化铝粉末的合成周期，相对的解决了转化率低的问题。

公开(公告)号：CN101948315A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN201010289059.9

申请日：2010-09-21

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 刘新宽 ,  刘平 ,  周敬恩 ,  马明亮 ,  席生岐

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明涉及一种高性能氮化铝陶瓷的低温烧结方法，属于氮化物陶瓷领域。即在平均颗粒尺寸为8～20μm，氮化铝晶粒尺寸约30nm的氮化铝粉末中，添加少量的烧结助剂混合后装入石墨模具中，然后于热压烧结炉中控制烧结温度为1500～1600℃进行烧结，最终得氮化铝陶瓷。所得的氮化铝陶瓷结构致密，其热导率介于120～150Ｗ·m-1·Ｋ-1之间，三点弯曲强度为400～500MPa，显微硬度为Hv1200MPa，气孔率为1～3%。本发明提供的低温烧结方法烧结炉的尺寸较小，结构简单，可实现连续烧结，非常适于工业化生产。