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公开(公告)号：CN103715871A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201410000233.1
申请日：2014-01-02
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明涉及一种大功率MOSFET驱动电路，PWM输入信号依次通过硬件死区电路、脉冲封锁电路、光耦隔离电路、外围电路产生上、下桥臂的Mosfet的栅极驱动信号，硬件死区电路产生硬件死区时间，脉冲封锁电路在出现保护状态时用来封锁脉冲信号，硬件死区电路和光耦隔离电路、外围电路和自举回路组合成为大功率Mosfet驱动电路，以用来驱动大功率Mosfet，为避免上桥臂的Mosfet栅源电压有浮动，采取附加自举电路的措施。加快Mosfet开头和关断速度，从而减少Mosfet的开通和关断损耗，并且有封锁判断电路，用来实现硬件封锁驱动，从而保护Mosfet，该电路提高了驱动电路的驱动能力，提高了电路的工作效率，从而降低成本。
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