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发明公开
一种高强辐射场中设备自适应电磁辐射抑制方法审中-实审

公开(公告)号：CN119545769A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411520169.X

申请日：2024-10-29

Applicant: 上海无线电设备研究所

Inventor： 张海呈 , 石国昌 , 陈亚南 , 张元 , 廖意 , 陈兆炜

IPC: H05K9/00 , H01Q15/00

Abstract: 本发明公开了一种高强辐射场中设备自适应电磁辐射抑制方法，具体步骤包括：建立外部平面波照射下的电子设备模型；设置平面波强度，获得电子设备模型内腔的场强分布；根据电子设备模型内腔的场强分布，确定屏蔽电磁效应薄弱点；建立包括若干呈阵列排布的缝隙谐振贴片的能量选择表面结构；将所述能量选择表面结构设置在屏蔽电磁效应薄弱点所在的表面上，建立能量选择表面防护结构模型；将能量选择表面防护结构模型中屏蔽电磁效应薄弱点处场强与防护需求进行对比，判断能量选择表面结构是否满足防护需求。

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